[發明專利]晶片封裝體及其形成方法

有效

• 申請號: 201210227032.6
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN102856336A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 許傳進;林柏伸;張義民
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/0216;H01L33/44
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一光電元件，形成于該基底之中；

一導電層，設置于該基底之上，其中該導電層電性連接該光電元件；

一絕緣層，設置于該基底與該導電層之間；

一遮光層，設置于該基底的該第二表面之上，且直接接觸該導電層，其中該遮光層的遮光率大于80%，且具有露出該導電層的至少一開口；以及

一導電凸塊，設置于該遮光層的該開口之中以電性接觸該導電層，其中該遮光層與該導電凸塊共同完全覆蓋該基底的該第二表面。

2.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一穿孔，自該第二表面朝該第一表面延伸，其中該絕緣層延伸于該穿孔的一側壁上，且延伸至該基底的該第二表面上，且該導電層延伸至該穿孔中的該絕緣層之上。

3.根據權利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層延伸至該穿孔之中。

4.根據權利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層順應性設置于該穿孔的該側壁上的該導電層之上。

5.根據權利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層填充于該穿孔之中。

6.根據權利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層填滿該穿孔。

7.根據權利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層覆蓋該穿孔。

8.根據權利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層完全不填入該穿孔。

9.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層直接接觸該導電凸塊。

10.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該導電凸塊完全填滿該遮光層的該開口。

11.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一透明基底，設置于該基底的該第一表面上。

12.根據權利要求11所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一間隔層，設置于該基底與該透明基底之間，其中該間隔層、該基底及該透明基底共同于該光電元件之上圍繞出一空腔。

13.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，該基底具有一第一表面及一第二表面，其中該基底之中形成有至少一光電元件；

于該基底上形成一絕緣層；

于該基底上的該絕緣層之上形成一導電層，其中該導電層電性連接該至少一光電元件；

于該基底的該第二表面上形成一遮光層，其中該遮光層直接接觸該導電層且具有露出該導電層的至少一開口，且該遮光層的遮光率大于80%；以及

于該遮光層的該至少一開口中形成一導電凸塊以電性連接該導電層，其中該遮光層與該導電凸塊共同完全覆蓋該基底的該第二表面。

14.根據權利要求13所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括在形成該絕緣層之前，自該基底的該第二表面移除部分的該基底以形成朝該基底的該第一表面延伸的一穿孔，其中該絕緣層延伸于該穿孔的一側壁上，且該導電層延伸于該穿孔中的該絕緣層之上。

15.根據權利要求14所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該遮光層延伸于該穿孔中的該導電層之上。

16.根據權利要求13所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括沿著該基底上的多個預定切割道進行一切割制程以形成彼此分離的多個晶片封裝體。

17.根據權利要求13所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該導電凸塊的形成包括：

于該遮光層的該至少一開口中填入一焊料；以及

對該焊料進行一回焊制程以形成該導電凸塊。

18.根據權利要求13所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括于該基底的該第一表面上設置一透明基底。

19.根據權利要求18所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括于該基底與該透明基底之間設置一間隔層，其中該間隔層、該基底及該透明基底共同于該光電元件之上圍繞出一空腔。

20.根據權利要求13所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該遮光層的形成包括：

于該基底的該第二表面上涂布一高分子溶液以形成一遮光材料層；以及

對該遮光材料層進行一曝光制程及一顯影制程以形成該遮光層。