[發明專利]一種N型太陽能電池制作方法有效
| 申請號： | 201210222534.X | 申請日： | 2012-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN102709401A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 張偉;李高非;胡志巖;熊景峰 | 申請（專利權）人： | 英利能源（中國）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能電池 制作方法 | ||
1.一種N型太陽能電池制作方法，其特征在于，包括：
提供一待處理的硅片；
去除所述硅片表面的損傷層；
對所述硅片進行表面制絨；
對所述硅片進行清洗，以去除所述硅片表面殘留的金屬雜質；
對干燥后的所述硅片進行硼擴散。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過去離子水、雙氧水以及鹽酸組成的混合試劑對所述硅片進行清洗。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述混合試劑中，去離子水質量分數為97.5%-98.5%，雙氧水的質量分數為0.5%-1.5%，鹽酸的質量分數為0.5%-1.5%。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，清洗溫度為60℃-70℃，清洗時間為8min-12min。
5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述混合試劑對所述硅片進行清洗之后，并在對干燥后所述硅片進行硼擴散之前還包括：采用去離子水對所述硅片進行清洗。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，采用去離子水對所述硅片進行清洗的時間為10min-15min。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用氫氧化鉀、雙氧水和去離子水組成的混合試劑去除所述硅片表面的損傷層。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用氫氧化鈉、雙氧水和去離子水組成的混合試劑去除所述硅片表面的損傷層。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用烘箱對所述硅片進行干燥。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片為單晶硅片或多晶硅片。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
