[發明專利]硅太陽能電池用光電轉化透明薄膜無效
| 申請號: | 201210220344.4 | 申請日: | 2012-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN102723382A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發明(設計)人: | 葛波 | 申請(專利權)人: | 蘇州嘉言能源設備有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232 | 代理人: | 傅靖 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 用光 轉化 透明 薄膜 | ||
【權利要求書】:
1.一種硅太陽能電池用光電轉化透明薄膜,其特征在于所述的透明薄膜的組成為15-22.5wt%的氧化銦,0.15-0.25?wt%的鈰,27.5-42.5wt%的二氧化錫以及余量的氧化鋅。
2.權利要求1所述的透明薄膜,其特征在于所述透明薄膜的厚度為100-250nm。
3.權利要求1所述的透明薄膜,其特征在于所述透明薄膜采用磁控濺射方法制備。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





