[發明專利]一種用于半導體器件封裝的清洗劑

無效

• 申請號: 201210220078.5
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN103509661A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 林清華;黃金順
• 申請（專利權）人: 林清華;黃金順
• 主分類號: C11D7/60
• 分類號: C11D7/60;C11D7/26
• 代理公司: 上海天翔知識產權代理有限公司 31224
• 代理人: 劉粉寶

技術領域

本發明涉及電子工業清洗劑技術領域，特別涉及一種用于半導體器件封裝的清洗劑。

背景技術

眾所周知，半導體工藝中的清洗，主要是清除有機物和金屬離子的沾污，尤其要求最大限度地不殘留任何金屬離子。當今在傳統的半導體工業中所用的清洗劑，通常是含有強酸或三氯乙烯等具有強腐蝕性和毒性的化學試劑，利用這類清洗劑存在清洗成本高，腐蝕性強，危害操作人員的安全和健康、污染環境的缺點。

中國專利申請公開號CN1051756公開的水基電子清洗制劑，是以乙二胺四醋酸鈉和可溶性氟化物為主劑，以醇醚和酚醚表面活性劑為清洗劑，以胺皂和酰胺為增效劑，醇類和去離子水為溶劑。

美國US2002/021436公開的用于清除微電子基板上的光致抗蝕劑和等離子殘余灰燼的無氨和無氫氟酸的清洗組合物,含有一種或多種能溶于合適的溶劑基質中,不產生銨和氫氟酸的氟化物鹽(無銨的氟化季銨鹽)。在該專利中，給出了一個四丁基氟化銨、二甲基亞砜、1-（2-羥乙基））-2-吡咯烷酮、水、三乙醇胺和苯并三唑的清洗組合物。

美國US2004/037135公開的含有鹵素含氧酸、其鹽及其衍生物的微電子清洗組合物包含：(a)氧化劑，其選自鹵素含氧酸，所述酸的鹽，或其衍生物，其中所述衍生物選自鹵化異氰酸酯、二氧化氯、一氧化氯和次氯酸鹽-亞磷酸鹽復合物，和(b)組分(a)的溶劑，和，任選的如下組分中的一種或多種：(c)不產生銨的堿，(d)酸，(e)金屬螯合劑或絡合劑，(f)增強清洗性能的添加劑，(g)金屬腐蝕抑制劑，(h)不產生銨的氟化物，(i)穩定劑，用于來自鹵素含氧酸、其鹽或其衍生物的可用鹵素，和(j)表面活性劑；附帶條件為當氧化劑組分(a)是烷基次氯酸鹽時，組分(b)溶劑不是酰胺、砜、環丁烯砜、硒砜或飽和的醇溶劑，而且當氧化劑組分(a)是次氯酸時，清洗組合物還必須含有不產生銨的堿。

美國US2010/020974公開的用于清洗微電子或納米電子設備的清洗組合物，該清洗組合物包含：HF，其為組合物中除膦酸腐蝕抑制劑外唯一的酸以及唯一的氟化物化合物，至少一種選自砜和硒砜的主要溶劑，至少一種具有金屬離子絡合或結合位點的多羥基烷基醇或芳基醇共溶劑，以及水，以及任選的至少一種膦酸腐蝕抑制劑化合物，所述的清洗組合物中不含胺、堿和其他鹽類，且具有pH≤5.5。

美國US2002/021374公開的用于清洗微電子基板中殘余物的清洗組合物，其包括：約0.05-30％重量的一種或多種含有非親核的、帶正電的反離子的不產生銨的強堿；約5-99.95％重量的一種或多種位阻酰胺溶劑；約0-95％重量的水或其它有機共溶劑；約0-40％重量的位阻胺或鏈烷醇胺；約0-40％重量的有機或無機酸；約0-40％重量的其它金屬腐蝕抑制劑化合物；約0-5％重量的表面活性劑；約0-10％重量的無金屬離子的硅酸鹽化合物；約0-5％重量的金屬螯合劑；和約0-10％重量的氟化物。

另作為聚合物剝離用組合物，已知有例如在特開平9-197681號公報和特開2000-47401公報中所記載的，在氟化物鹽的水溶液中，加入DMF（二甲基甲酰胺）、DMSO（二甲基亞砜）等的水溶性有機溶劑，并根據需要加入氟化氫酸形成的組合物。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于針對現有電子清洗劑所存在？問題而提供一種用于半導體器件封裝清洗劑，該半導體器件封裝清洗劑具有能清除大于90%的金屬表面氧化層和其它沾污，使得半導體封裝關鍵工序鍵合的質量大幅提高。

本發明所要解決的技術問題可以通過以下技術方案來實現：

一種用于半導體器件封裝的清洗劑，由以下質量百分比原料配制而成：冰醋酸1.0%～5%，氟化氫銨0.5%～7.5%，氟銨NH4F0.2%～7.5%，二甲基甲酰胺55%～70%，去離子水25%～35%。

在本發明的用于半導體器件封裝的清洗劑，各組分的作用如下：

冰醋酸的作用是去除氧化，但用量要控制。

氟化氫銨的作用是去除鋁表面的氟。

氟銨NH₄F的作用是增加滲透率，利于去除鋁表面的氟。

二甲基甲酰胺的作用是作為清洗機的溶劑。

半導體器件封裝清洗劑具有能清除大于90%的金屬表面氧化層和其它沾污，使得半導體封裝關鍵工序鍵合的質量大幅提高。

具體實施方式

以下結合具體實施例對本發明進行進一步說明。

用于半導體器件封裝的清洗劑各實施例的配方表參見表1

表1（表中單位為kg）