[發明專利]用于原子氧散射角分布及侵蝕率測量的試驗系統

無效

• 申請號: 201210219864.3
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN102706312A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 姜海富;劉向鵬;李濤;孫繼鵬;翟睿瓊
• 申請（專利權）人: 北京衛星環境工程研究所
• 主分類號: G01B21/22
• 分類號: G01B21/22;G01N5/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于原子氧散射角分布及侵蝕率測量的試驗系統，包括靶臺機構、鋁散射板、兩端開口的散射腔體、Kapton薄膜、SiO₂/Kapton薄膜以及原子氧發生系統，散射腔體的下端開口設置在疊置于靶臺機構上的鋁散射板上，Kapton薄膜設置在散射腔體內表面，中心設置有圓孔的SiO₂/Kapton薄膜機械固定在散射腔體的上端開口，設置在散射腔體上方的原子氧發生系統通過上述圓孔向散射腔體內產生原子氧，散射腔體內的SiO₂/Kapton薄膜表面以及Kapton薄膜表面上分別散落設置有不與原子氧反應起保護作用的NaCl顆粒，散射腔體底部的鋁散射板對入射原子氧進行不同角度的散射。

2.如權利要求1所述的試驗系統，其中，NaCl顆粒通過物理方法不會脫落地散落設置在SiO₂/Kapton薄膜以及Kapton薄膜上，且與其接觸的薄膜位置無壓痕損傷。

3.如權利要求1所述的試驗系統，其中，靶臺結構為能夠空間轉動的靶臺結構，以對不同入射角的原子氧束的散射角分布及侵蝕率進行測定。

4.如權利要求1所述的試驗系統，其中，鋁散射板表面有凹槽，與散射腔體的底部緊密配合。

5.如權利要求1-4任一項所述的試驗系統，其中，原子氧發生系統為束流式原子氧發生系統，能夠產生束流密度為10¹⁴-10¹⁶atoms/cm²·s的中性原子氧。

6.如權利要求1-4任一項所述的試驗系統，其中SiO₂/Kapton薄膜的SiO₂面能夠抵制原子氧的侵蝕，Kapton面用于與散射原子氧反應。

7.如權利要求1-4任一項所述的試驗系統，其中，機械固定是通過用固定螺栓連接散射腔體、SiO₂/Kapton薄膜及靶臺機構來固定的。