[發明專利]用于FinFET的裝置

有效

• 申請號: 201210217511.X
• 申請日: 2012-06-27
• 公開（公告）號: CN103378135B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L27/11;G11C11/40
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種裝置，包括：

形成在襯底中的隔離區；

形成在所述襯底中的倒T形鰭，其中：

所述倒T形鰭的底部被所述隔離區包圍；并且

所述倒T形鰭的上部在所述隔離區的頂面之上凸出，并且所述倒T形鰭包括：

連接在第一漏極/源極區和第二漏極/源極區之間的溝道；以及

圍繞所述倒T形鰭的溝道的柵電極。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述倒T形鰭包括第一層和第二層；以及

所述第一層堆疊在所述第二層上。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述第一漏極/源極區、所述第二漏極/源極區和所述溝道形成p型FinFET；以及

所述第一漏極/源極區和所述第二漏極/源極區的外延生長材料選自由SiGe、SiGeC、Ge、Si、III-V族化合物半導體材料和它們的任意組合所組成的組。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述第一漏極/源極區、所述第二漏極/源極區和所述溝道形成n型FinFET；以及

所述第一漏極/源極區和所述第二漏極/源極區的外延生長材料選自由SiP、SiC、SiPC、Si、III-V族化合物半導體材料和它們的任意組合所組成的組。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述倒T形鰭包括第一梯形和第二梯形；以及

所述第一梯形堆疊在所述第二梯形上。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述第一漏極/源極區的截面寬度寬于所述溝道的截面寬度；以及

所述第二漏極/源極區的截面寬度寬于所述溝道的截面寬度。

7.一種器件，包括：

形成在襯底中的隔離區；

第一鰭結構，包括：

形成在所述襯底中的第一雙層鰭，其中：

所述第一雙層鰭的底部被所述隔離區包圍；并且

所述第一雙層鰭的上部在所述隔離區的頂面之上凸出，所述第一雙層鰭包括連接在第一漏極/源極區和第二漏極/源極區之間的第一溝道；和

圍繞所述第一雙層鰭的第一溝道的第一柵電極；以及

第二鰭結構，包括：

形成在所述襯底中的第二雙層鰭，其中：

所述第二雙層鰭的底部被所述隔離區包圍；并且

所述第二雙層鰭的上部在所述隔離區的頂面之上凸出，所述第二雙層鰭包括：連接在第三漏極/源極區和第四漏極/源極區之間的第二溝道；和

圍繞所述第二雙層鰭的第二溝道的第二柵電極。

8.根據權利要求7所述的器件，其中：

所述第一雙層鰭的上部包括形成在所述第一雙層鰭的底部上方的單條鰭線；以及

所述第二雙層鰭的上部包括形成在所述第二雙層鰭的底部上方的多條鰭線。

9.根據權利要求7所述的器件，還包括單層鰭，其中，所述單層鰭的溝道的截面為矩形。

10.一種存儲器單元，包括：

第一反相器，包括：

具有雙層鰭結構的第一p型晶體管(PU)；以及

具有雙層鰭結構的第一n型晶體管(PD)，其中，所述第一PU與所述第一PD串聯連接；

與所述第一反相器交叉連接的第二反相器，包括：

具有所述雙層鰭結構的第二PU；以及

具有所述雙層鰭結構的第二PD，其中，所述第二PU與所述第二PD串聯連接；

具有所述雙層鰭結構的第一傳輸門晶體管，所述第一傳輸門晶體管連接在所述第一反相器和第一位線之間；以及

具有所述雙層鰭結構的第二傳輸門晶體管，所述第二傳輸門晶體管連接在所述第二反相器和第二位線之間。