[發(fā)明專利]基于主動可控觸發(fā)SCR的ESD保護(hù)電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210217427.8 | 申請日: | 2012-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN103515376A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李煜文 | 申請(專利權(quán))人: | 上海摩晶電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 200235 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 主動 可控 觸發(fā) scr esd 保護(hù) 電路 | ||
1.一種基于主動可控的觸發(fā)電路,觸發(fā)SCR工作,從而形成靜電保護(hù)回路的集成電路設(shè)計(jì)方法。
2.一種符合權(quán)利要求1的設(shè)計(jì),其特征在于,采用探測電路,探測到需要啟動靜電保護(hù)的條件(如電壓值和電壓升起的斜率),經(jīng)過放大驅(qū)動,開啟輸入NMOS管。
3.一種符合權(quán)利要求1和權(quán)利要求2的設(shè)計(jì),其特征在于,NMOS管的S極不接地,而是與襯底的B極P+相連;這樣NMOS管的正向?qū)Ы?jīng)電流就直接流入襯底(P井),其直接后果就是襯底電位升高,導(dǎo)致寄生SCR啟動,從而泄放ESD電流,達(dá)到保護(hù)目的。
4.一種符合權(quán)利要求1的設(shè)計(jì),其特征在于,探測電路一般采用電容耦合,RC濾波的形式,這樣可以過濾掉與靜電泄放事件無關(guān)的低頻干擾。
5.一種符合權(quán)利要求1的設(shè)計(jì),其特征在于,放大驅(qū)動電路一般可由比級適當(dāng)調(diào)整P/N比例的CMOS反相器組成;如果此電路用了特別高頻率的應(yīng)用,則在放大驅(qū)動級應(yīng)考慮特殊的濾波電路,以避免保護(hù)電路和正常工作間的干擾。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





