[發(fā)明專利]基材支撐單元和包括它的基材處理設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210216931.6
• 申請日: 2012-06-27
• 公開（公告）號: CN102856242A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李元行;李承培
• 申請（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 梁興龍;武玉琴

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種基材支撐單元，更具體而言，涉及一種包括加熱器的基材支撐單元。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體制造設(shè)備包括在處理室中的用于支撐基材的支撐板。電熱絲設(shè)置在支撐板內(nèi)，以將基材加熱到一定溫度。

這種電熱絲以螺旋圖案嵌入，彼此并連連接。在這種情況下，由于并聯(lián)的電熱絲的整個(gè)長度大于串聯(lián)的電熱絲，所以并聯(lián)的電熱絲可以更小的間隔排列。然而，由于并聯(lián)的電熱絲的整個(gè)長度大于串聯(lián)的電熱絲，所以并聯(lián)的電熱絲不適宜在小區(qū)域內(nèi)嵌入。此外，由于并聯(lián)的電熱絲朝向支撐板的邊緣延伸，所以其長度增加，其電阻也增加。因此，可能很難獲得所需量的熱量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種用于均勻地處理基材的整個(gè)表面的設(shè)備。

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種基材支撐單元，包括：在其上放置基材的支撐板；和設(shè)置在所述支撐板內(nèi)以加熱所述支撐板的加熱件，其中所述加熱件包括：設(shè)置在所述支撐板的第一區(qū)域中的多根第一電熱絲；和設(shè)置在所述支撐板的第二區(qū)域中的多根第二電熱絲，第二區(qū)域不同于第一區(qū)域，其中各第一電熱絲通過串聯(lián)和并聯(lián)中的一種彼此連接，和各第二電熱絲通過串聯(lián)和并聯(lián)中的另一種彼此連接。

在一些實(shí)施例中，各第一電熱絲可以彼此并聯(lián)連接，各第二電熱絲可以彼此串聯(lián)連接，和第二區(qū)域的面積可以小于第一區(qū)域的面積。

在其他實(shí)施例中，第一區(qū)域可以是所述支撐板的中央?yún)^(qū)域，和第二區(qū)域可以是所述支撐板的包圍所述中央?yún)^(qū)域的邊緣區(qū)域。

在其他實(shí)施例中，各第一電熱絲的長度可以大于各第二電熱絲的長度。

在其他實(shí)施例中，各第一電熱絲的長度可以彼此不同。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，基材處理設(shè)備包括：具有內(nèi)部空間的處理室；設(shè)置在所述處理室內(nèi)以支撐基材的支撐板；和設(shè)置在所述支撐板內(nèi)以加熱所述支撐板的加熱件，其中所述加熱件包括：設(shè)置在所述支撐板的中央?yún)^(qū)域中的多根第一電熱絲；和設(shè)置在所述支撐板的包圍所述中央?yún)^(qū)域的邊緣區(qū)域中的多根第二電熱絲，其中各第一電熱絲通過串聯(lián)和并聯(lián)中的一種彼此連接，和各第二電熱絲通過串聯(lián)和并聯(lián)中的另一種彼此連接。

在一些實(shí)施例中，各第一電熱絲可以彼此并聯(lián)連接，各第二電熱絲可以彼此串聯(lián)連接，和所述邊緣區(qū)域的面積可以小于所述中央?yún)^(qū)域的面積。

在其他實(shí)施例中，各第一電熱絲的長度可以大于各第二電熱絲的長度。

在其他實(shí)施例中，各第一電熱絲的長度可以彼此不同。

附圖說明

附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，且被并入說明書中構(gòu)成說明書的一部分。附圖顯示本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的處理基材的設(shè)備的剖視圖；

圖2是示出圖1的電熱絲的平面圖；

圖3是示出圖1的電熱絲的立體圖；和

圖4是示出圖1的第一電熱絲的連接的電路圖。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖更詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的基材支撐單元和基材處理設(shè)備。為了避免不必要地混淆本發(fā)明的主題，未對與公知的功能或構(gòu)造有關(guān)的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)說明。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的處理基材的設(shè)備的剖視圖。參照圖1，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的基材處理設(shè)備10產(chǎn)生用于處理基材的等離子體。基材處理設(shè)備10包括處理室100、基材支撐單元200、供氣部300和等離子體產(chǎn)生部400。

處理室100具有內(nèi)部空間101。內(nèi)部空間101作為用于使用等離子體處理基材W的空間。基材W的等離子體處理工藝包括蝕刻工藝。排出孔102設(shè)置在處理室100的底部。排出孔102與排出管線121連接。處理室100內(nèi)停留的氣體和在基材處理工藝中產(chǎn)生的反應(yīng)副產(chǎn)物可以通過排出管線121排出。此時(shí)，內(nèi)部空間101的壓力降低到一定壓力。