[發(fā)明專利]高精度氧化鋁陶瓷基板1瓦2dB衰減片

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210216537.2
• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN102709641A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳建良
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州市新誠氏電子有限公司
• 主分類號: H01P1/22
• 分類號: H01P1/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種氧化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種高精度氧化鋁陶瓷基板1瓦2dB的衰減片。

背景技術(shù)

目前集成了三個膜狀電阻設(shè)計(jì)的衰減片廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域。使用負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時還能抽取需要的信號進(jìn)行分析，并在高頻電路上調(diào)整功率電平，去耦，對相關(guān)設(shè)備起到了保護(hù)作用。

由于國外對同類產(chǎn)品的研發(fā)與制造比國內(nèi)起步早，無論在產(chǎn)品系列還是產(chǎn)品特性上都處于優(yōu)勢地位。同時國內(nèi)市場上現(xiàn)有的衰減片衰減精度低，且能使用的頻段相對較窄。我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到要求時，輸出端得到的信號不符合實(shí)際要求。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻抗?jié)M足50±1.5Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為2±0.5dB，駐波要求輸入、輸出端在1.2以內(nèi)，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的功率氧化鋁陶瓷基板1瓦2dB衰減片，取代國外同類產(chǎn)品，并在特性上填補(bǔ)國內(nèi)產(chǎn)品的空白。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種高精度氧化鋁陶瓷基板1瓦2dB衰減片，包括一長3.5mm、寬2mm、厚度0.635mm的高導(dǎo)熱氧化鋁陶瓷基板，所述氧化鋁陶瓷基板的正面印刷有高純度銀漿導(dǎo)線，所述銀漿導(dǎo)線通過高溫?zé)Y(jié)膜狀電阻連通，所述氧化鋁陶瓷基板的背面印刷有高純度銀漿背導(dǎo)層，所述正導(dǎo)和背導(dǎo)通過低溫銀漿導(dǎo)通。

優(yōu)選的，所述高溫?zé)Y(jié)膜狀電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。

優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。

上述技術(shù)方案具有如下有益效果：該高精度氧化鋁陶瓷基板1瓦2dB衰減片體積小，厚度薄，材料成本有效降低；產(chǎn)量高，生產(chǎn)成本有效降低；對稱電路設(shè)計(jì)，頻率特性好，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)。可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的具體實(shí)施方式由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。

如圖1所示，該高精度氧化鋁陶瓷基板1瓦2dB衰減片包括一長3.5mm、寬2mm、厚度0.635mm的高導(dǎo)熱氧化鋁陶瓷基板1，氧化鋁基板1的背面印刷有高純度銀漿背導(dǎo)層，氧化鋁基板1的正面印刷有高純度銀漿導(dǎo)線2及膜狀電阻R1、R2、R3，膜狀電阻R1、R2、R3通過導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過銀漿與背導(dǎo)層電連接，從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路沿氧化鋁基板的中心線對稱，膜狀電阻R1、R2、R3上印刷有玻璃保護(hù)膜3，導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4，這樣可對導(dǎo)線2及膜狀電阻R1、R2、R3形成保護(hù)。

該氧化鋁陶瓷基板1瓦2dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50±1.5Ω，輸出端和接地端的阻抗為50±1.5Ω。信號輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過膜狀電阻R1、R3、R2對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號。

該高精度氧化鋁陶瓷基板1瓦2dB衰減片體積小，厚度薄，材料成本有效降低；產(chǎn)量高，生產(chǎn)成本有效降低；對稱電路設(shè)計(jì)，頻率特性好，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)。可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。

以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種氧化鋁陶瓷基板1瓦2dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。