[發明專利]柵邊緣凹槽型源場板結構高電子遷移率晶體管無效
| 申請號： | 201210216233.6 | 申請日： | 2012-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN102738228A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發明（設計）人： | 徐躍杭;付文麗;延波;國云川;徐銳敏 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都科海專利事務有限責任公司 51202 | 代理人： | 劉雙蘭 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 邊緣 凹槽 型源場 板結 電子 遷移率 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種柵邊緣凹槽型源場板結構高電子遷移率晶體管，包括襯底層（1）、緩沖層（2）、勢壘層（3）、源極（4）、柵極（5）、漏極（6）、鈍化層（7）和源場板（8）；其特征在于還包括柵漏區的凹槽（9），所述柵漏區凹槽（9）是在柵漏區沿柵極（5）邊緣、而在勢壘層（3）上刻蝕形成的溝槽，所述溝槽沿柵寬方向。
2.根據權利要求1所述的柵邊緣凹槽型源場板結構高電子遷移率晶體管，其特征在于所述柵漏區凹槽（9）的一個側壁與漏極一側的柵極邊緣對齊，另一個側壁位于柵極與漏極之間的勢壘層中。
3.根據權利要求1或2所述的柵邊緣凹槽型源場板結構高電子遷移率晶體管，其特征在于所述柵漏區凹槽（9）深度小于勢壘層厚度。
4.根據權利要求1或2所述的柵邊緣凹槽型源場板結構高電子遷移率晶體管，其特征在于所述柵漏區凹槽（9）中填充空氣、或二氧化硅（SiO2）、或氮化硅（SiN）、或三氧化二鋁（Al2O3）、或二氧化鉿（HfO2）。
5.根據權利要求1或2所述的柵邊緣凹槽型源場板結構高電子遷移率晶體管，其特征在于所述柵漏區凹槽（9）為方形結構。
6.根據權利要求1或2所述的柵邊緣凹槽型源場板結構高電子遷移率晶體管，其特征在于所述柵漏區凹槽（9）為梯形結構。
7.根據權利要求1或2所述的柵邊緣凹槽型源場板結構高電子遷移率晶體管，其特征在于所述柵漏區凹槽（9）為階梯形結構。
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