[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體等離子體頻率測(cè)量方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210216218.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102721670A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊濤;黃維;蔡祥寶;李興鰲;劉輝;何浩培;周馨慧;王建云 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京郵電大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/55 | 分類號(hào): | G01N21/55 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 楊楠 |
| 地址: | 210003 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 等離子體頻率 測(cè)量方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體等離子體頻率測(cè)量方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、將兩個(gè)金屬刀片:第一刀片和第二刀片,平行設(shè)置于待測(cè)半導(dǎo)體表面上方,兩個(gè)刀片的刀身垂直于半導(dǎo)體表面且刃口向下;初始時(shí),設(shè)置兩個(gè)刀片間的距離為2厘米,刀片刃口與待測(cè)半導(dǎo)體表面的距離大于0小于等于500微米;由第一刀片的外側(cè)向第一刀片的刃口與待測(cè)半導(dǎo)體表面之間的狹縫處發(fā)射寬頻電磁波;在第二刀片的刀口外側(cè)放置一個(gè)光譜分析裝置;
步驟2、檢查光譜分析裝置是否能收到信號(hào),如果沒有任何信號(hào)被接收到,則逐步減小所發(fā)射寬頻電磁波的最小頻率,直至光譜分析裝置可以接收到電磁波信號(hào);
步驟3、如在步驟2的操作過程中,光譜分析裝置始終不能收到信號(hào),則逐步減小兩個(gè)刀片間的距離,并重復(fù)步驟2,直至光譜分析裝置可以接收到電磁波信號(hào);
步驟4、微調(diào)兩個(gè)刀片刃口與待測(cè)半導(dǎo)體表面的距離、入射電磁波的入射角度、光譜分析裝置接收出射電磁波的角度,使得光譜分析裝置接收到信號(hào)的幅度達(dá)到最大;
步驟5、逐步減小兩個(gè)刀片之間的距離,直至光譜分析裝置剛好不能接收到入射寬頻電磁波的全部頻率信號(hào),記錄下此時(shí)光譜分析裝置所能探測(cè)到的最大頻率值;將該最大頻率值乘以???????????????????????????????????????????????,即為待測(cè)半導(dǎo)體的等離子體頻率。
2.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體等離子體頻率測(cè)量方法,其特征在于,在步驟5之后還包括:
步驟6、調(diào)整待測(cè)半導(dǎo)體的溫度并重復(fù)步驟1至步驟5,得到待測(cè)半導(dǎo)體在不同溫度下的等離子體頻率。
3.如權(quán)利要求1或2所述半導(dǎo)體等離子體頻率測(cè)量方法,其特征在于,整個(gè)測(cè)量過程在真空或充氮?dú)獾沫h(huán)境中進(jìn)行。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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