[發明專利]磁響應光子晶體防偽標識及其制備方法

無效

• 申請號: 201210213014.2
• 申請日: 2012-06-26
• 公開（公告）號: CN102708773A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 陳乾旺;胡海波;唐健
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: G09G3/02
• 分類號: G09G3/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李玉秋

1.一種磁響應光子晶體防偽標識，包括：

多個圖案，所述圖案包括：聚合物基質和封裝在所述聚合物基質中的含有碳包覆超順磁性四氧化三鐵膠態納米粒子的乙二醇微液滴；

所述圖案中的單個圖案中至少包括兩種不同粒徑的碳包覆超順磁性四氧化三鐵膠態納米粒子。

2.根據權利要求1所述的磁響應光子晶體防偽標識，其特征在于，所述碳包覆超順磁性四氧化三鐵膠態納米粒子的粒徑為110nm~130nm、140nm~160nm或190nm~210nm。

3.根據權利要求1所述的磁響應光子晶體防偽標識，其特征在于，所述聚合物為聚硅氧烷聚合體、聚乙二醇雙丙烯酸酯聚合體，聚乙烯醇聚合體或聚丙烯酰胺聚合體聚合體。

4.根據權利要求1所述的磁響應光子晶體防偽標識，其特征在于，所述聚合物為聚硅氧烷聚合體。

5.一種磁響應光子晶體防偽標識的制備方法，包括以下步驟：

將聚合單體、固化劑和含有不同粒徑的碳包覆超順磁性四氧化三鐵膠態納米粒子的乙二醇溶液混合，得到膠狀物；

將所述膠狀物置于防偽標識圖案模板的多個圖案中，進行聚合反應后得到磁響應光子晶體防偽標識，所述圖案中的單個圖案中至少包括兩種不同粒徑的碳包覆超順磁性四氧化三鐵膠態納米粒子。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述含有不同粒徑的碳包覆超順磁性四氧化三鐵膠態納米粒子的乙二醇溶液中碳包覆超順磁性四氧化三鐵膠態納米粒子的質量濃度為（0.005-0.020）g/mL。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述聚合單體的質量、固化劑的質量和所述含有碳包覆超順磁性四氧化三鐵膠態納米粒子的乙二醇溶液質量比為10:（1~2）:（1~10）。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述聚合單體為硅氧烷單體、乙二醇雙丙烯酸酯單體、乙烯醇單體或丙烯酰胺單體。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述聚合單體為硅氧烷單體。

10.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述聚合反應的溫度為50℃~80℃；

所述聚合反應的時間為1小時~5小時。