[發明專利]形成PN、PIN、N-型和P-型半導體薄膜的方法無效
| 申請號： | 201210212694.6 | 申請日： | 2012-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN102842487A | 公開（公告）日： | 2012-12-26 |
| 發明（設計）人： | 張良冬;張子恒 | 申請（專利權）人： | 張良冬 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 王晶 |
| 地址： | 中國臺灣苗栗*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 pn pin 半導體 薄膜 方法 | ||
1.一種形成PN半導體薄膜的方法，其特征在于包括：
提供一熔融P-型半導體材料與一熔融N-型半導體材料；
形成熔融P-型半導體材料與熔融N-型半導體材料的一P-型半導體帶與一N-型半導體帶；
接合P-型半導體帶與N-型半導體帶；以及
對P-型半導體帶與N-型半導體帶執行一滾壓制程或下壓制程以形成PN半導體薄膜。
2.如權利要求1所述的形成PN半導體薄膜的方法，其特征在于，所述P-型半導體帶與N-型半導體帶通過一下拉法或鑄膜法形成。
3.如權利要求1所述的形成PN半導體薄膜的方法，其特征在于還包括一步驟以纏繞PN半導體薄膜以形成一PN半導體薄膜卷。
4.一種形成PIN半導體薄膜的方法，其特征在于包括：
提供一熔融P-型半導體材料、一本質半導體材料與一熔融N-型半導體材料；
形成熔融P-型半導體材料、本質半導體材料與熔融N-型半導體材料的一P-型半導體帶、一本質半導體帶與一N-型半導體帶；
接合P-型半導體帶、本質半導體帶與N-型半導體帶；以及
對P-型半導體帶、本質半導體帶與N-型半導體帶執行一滾壓制程或下壓制程以形成PIN半導體薄膜。
5.如權利要求4所述的形成PIN半導體薄膜的方法，其特征在于，所述P-型半導體帶、本質半導體帶與N-型半導體帶通過一下拉法或鑄膜法形成。
6.如權利要求4所述的形成PIN半導體薄膜的方法，其特征在于，還包括一步驟以纏繞PIN半導體薄膜以形成一PIN半導體薄膜卷。
7.一種形成N-型或P-型半導體薄膜的方法，其特征在于包括：
提供一熔融半導體材料；
形成熔融半導體材料的一半導體帶；
對半導體帶執行一滾壓制程或下壓制程以形成半導體薄膜；以及
對半導體薄膜執行一離子布植制程以形成N-型或P-型半導體薄膜。
8.如權利要求7所述的形成半導體薄膜的方法，其特征在于，所述半導體帶通過一下拉法或鑄膜法形成。
9.如權利要求7所述的形成半導體薄膜的方法，其特征在于，還包括一步驟以纏繞半導體薄膜以形成一半導體薄膜卷。
10.如權利要求1、4或7所述的形成N-型/P-型/PN/P?IN半導體薄膜的方法，其特征在于還包括一步驟以堆棧N-型、P-型、PN、PIN半導體薄膜與至少一第二N-型、第二P-型、第二PN或第二P?IN半導體薄膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
