[發(fā)明專利]半導體加工系統(tǒng)的清潔方法和裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210212418.X
• 申請日: 2007-04-26
• 公開（公告）號: CN102747336A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設計）人: 小弗朗克·迪梅奧;詹姆斯·迪茨;W·卡爾·奧蘭德;羅伯特·凱姆;史蒂文·E·畢曉普;杰弗里·W·紐納;喬斯·I·阿爾諾;保羅·J·馬爾甘斯基;約瑟夫·D·斯威尼;戴維·埃爾德里奇;沙拉德·葉戴夫;奧列格·比爾;格雷戈里·T·施陶夫
• 申請（專利權）人: 高級技術材料公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/48;C23C16/44;H01J37/32
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 張英;劉書芝

1.一種清潔離子注入系統(tǒng)的一個或多個組件以從所述一個或多個組件至少部分去除離子化相關沉積物的方法，所述方法包括使所述一個或多個組件與包含氣相反應性材料的清潔組合物接觸，其是在使所述氣相反應性材料能夠與所述沉積物發(fā)生反應的條件下，以實現(xiàn)所述至少部分去除。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述氣相反應性材料包括選自由XeF₂、XeF₄、XeF₆、NF₃、IF₅、IF₇、KrF₂、SF₆、C₂F₆、F₂、CF₄、Cl₂、HCl、ClF₃、ClO₂、N₂F₄、N₂F₂、N₃F、NFH₂、NH₂F、HOBr、Br₂、C₃F₈、C₄F₈、C₅F₈、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、COF₂、HF、C₂HF₅、C₂H₂F₄、C₂H₃F₃、C₂H₄F₂、C₂H₅F、C₃F₆、COCl₂、CCl₄、CHCl₃、CH₂Cl₂和CH₃Cl組成的組中的氣體。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述氣相反應性材料包括XeF₂。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述條件包括環(huán)境溫度、高于環(huán)境溫度的溫度、有等離子體存在、或沒有等離子體存在。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，包括靜態(tài)模式清潔。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中，所述條件包括環(huán)境溫度、高于環(huán)境溫度的溫度、有等離子體存在、或沒有等離子體存在。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，包括動態(tài)清潔。

8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中，所述條件包括環(huán)境溫度、高于環(huán)境溫度的溫度、有等離子體存在、或沒有等離子體存在。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述離子化相關沉積物來源于摻雜劑源氣體等離子體，并且所述氣態(tài)鹵化物包括XeF₂。

10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述離子注入系統(tǒng)適于執(zhí)行選自由等離子體浸沒和分子離子注入所組成的組中的離子注入工藝。

11.一種離子注入及清潔裝置，包括離子注入系統(tǒng)，其中所述離子注入系統(tǒng)包括在所述系統(tǒng)中的離子注入加工期間其上累積離子化相關沉積物的一個或多個組件；以及清潔部件，其中所述清潔部件包括包含清潔組合物的清潔組合物源，該清潔組合物包括與所述沉積物是反應性的氣相反應性材料，以在包括使所述清潔組合物與所述沉積物相接觸的清潔條件下從所述一個或多個組件至少部分地去除所述沉積物；流動線路，其適于將來自所述清潔組合物源的所述清潔組合物輸送至所述一個或多個組件，以在所述清潔條件下與其接觸；以及流動組件部分，其適于在清潔條件下控制通過所述流動線路的清潔組合物的流動，以實現(xiàn)將所述沉積物從所述一個或多個組件的所述至少部分去除。