[發(fā)明專利]執(zhí)行初始校正及全時更新模式校正的方法和記憶體電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210210859.6
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102710230A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設計）人: 夏濬;洪森富;陳文偉
• 申請（專利權(quán)）人: 鈺創(chuàng)科技股份有限公司
• 主分類號: H03H7/38
• 分類號: H03H7/38
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;常大軍

1.一種執(zhí)行初始校正及全時更新模式校正的方法，其特征在于，包含：

供電至一記憶體電路；

利用該阻抗匹配電路，對該記憶體電路執(zhí)行該初始校正；

該記憶體電路離開該初始校正；

該記憶體電路進入一驅(qū)動模式；

每隔一預定時間該記憶體電路退出該驅(qū)動模式；

根據(jù)一更新指令，利用該阻抗匹配電路對該記憶體電路執(zhí)行該更新模式校正；

一輸出電壓電位檢測電路判斷該記憶體電路的輸出電壓電位；及

根據(jù)該輸出電壓電位檢測電路的判斷結(jié)果，執(zhí)行一相對應的動作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)該輸出電壓電位檢測電路的判斷結(jié)果，執(zhí)行該相對應的動作包含：

當該記憶體電路的輸出電壓電位低于一低參考電壓時，調(diào)整該阻抗匹配電路內(nèi)的一上拉驅(qū)動器的強度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)該輸出電壓電位檢測電路的判斷結(jié)果，執(zhí)行該相對應的動作包含：

當該記憶體電路的輸出電壓電位高于一高參考電壓時，調(diào)整該阻抗匹配電路內(nèi)的一下拉驅(qū)動器的強度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)該輸出電壓電位檢測電路的判斷結(jié)果，執(zhí)行該相對應的動作包含：

當該記憶體電路的輸出電壓電位介于該高參考電壓與該低參考電壓之間時，該記憶體電路回到該驅(qū)動模式。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該驅(qū)動模式為該記憶體電路接收一激活指令、一讀取指令、一寫入指令及/或一閑置指令。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該初始校正為一延伸暫存器設定模式。

7.一種記憶體電路，其特征在于，包含：

一輸出電壓電位檢測電路，用以判斷該記憶體電路的一輸出電壓電位；以及

一阻抗匹配電路，包含：

一上拉驅(qū)動器，用以在該記憶體電路的初始校正及全時更新模式校正下，當該輸出電壓電位低于一低參考電壓時，調(diào)高該輸出電壓電位；及

一下拉驅(qū)動器，用以在該記憶體電路的初始校正及全時更新模式校正下，當該輸出電壓電位高于一高參考電壓時，調(diào)低該輸出電壓電位。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的記憶體電路，其特征在于，該輸出電壓電位檢測電路在該記憶體電路的全時更新模式校正下判斷該記憶體電路的該輸出電壓電位。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的記憶體電路，其特征在于，該初始校正為一延伸暫存器設定模式。