[發明專利]NMOS器件制作方法有效
| 申請號： | 201210209048.4 | 申請日： | 2012-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN102751197A | 公開（公告）日： | 2012-10-24 |
| 發明（設計）人： | 徐強 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | nmos 器件 制作方法 | ||
1.一種NMOS器件制作方法，其特征在于，包括：
提供含有NMOS的基底；
在所述基底上沉積具有高拉應力的氮化硅層；
將沉積前無氮化硅層覆蓋的所述NMOS按照NMOS溝道長度的長短次序進行分類，保留上述NMOS中具有最長溝道長度的NMOS所對應的氮化硅層，遠程等離子體刻蝕以去除上述NMOS中其余所對應的氮化硅層，再次沉積氮化硅層；
重復執行上述步驟，直至沉積前無氮化硅層覆蓋的所述NMOS無法按照NMOS溝道長度的長短次序進行分類，繼續后續通用的半導體工藝流程，以形成NMOS晶體管。
2.如權利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述將沉積前無氮化硅層覆蓋的NMOS按照NMOS溝道長度的長短次序進行分類，保留上述NMOS中具有最長溝道長度的NMOS所對應的氮化硅層，遠程等離子體刻蝕以去除上述NMOS中其余所對應的氮化硅層，再次沉積氮化硅層包括：
將所述NMOS按照NMOS溝道長度的長短次序分為三類，對于溝道長度最短和次短的NMOS，遠程等離子體刻蝕去除其對應的氮化硅層；
沉積第二氮化硅層；
遠程等離子體刻蝕去除與溝道長度最短的NMOS對應的第二氮化硅層；
沉積第三氮化硅層。
3.如權利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，采用等離子體增強化學氣相沉積法沉積所述氮化硅層。
4.如權利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為100埃至300埃。
5.如權利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述氮化硅層具有高拉應力，所述高拉應力為0.7吉帕至2.0吉帕。
6.如權利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述對氮化硅層進行遠程等離子體刻蝕采用的刻蝕氣體為含有氫氣和/或三氟化氮氣體的遠端等離子體。
7.如權利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述繼續后續通用的半導體工藝流程包括沉積金屬前介電質層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
