[發(fā)明專利]側墻結構的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210208908.2
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN102709167A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設計）人: 李全波;張瑜
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L21/311
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種側墻結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有柵極；

形成初始氧化層，所述初始氧化層覆蓋所述半導體襯底和柵極的表面；

對柵極兩側的初始氧化層進行厚度剪裁工藝，形成厚度小于所述初始氧化層厚度的側墻氧化層，柵極頂部和半導體襯底表面的氧化層作為保護層；

形成氮化硅層，所述氮化硅層覆蓋所述側墻氧化層和保護層的表面；

進行刻蝕工藝，去除位于保護層表面的氮化硅層和位于側墻氧化層表面的部分氮化硅層，所述側墻氧化層和柵極兩側剩余的氮化硅層構成側墻結構。

2.如權利要求1所述的側墻結構的制作方法，其特征在于，所述初始氧化層的厚度范圍為45～55埃，所述側墻氧化層的厚度范圍為10～20埃，所述氮化硅層的厚度范圍為65～75埃，所述側墻氧化層兩側剩余的氮化硅層的厚度范圍為35～45埃，所述側墻結構的厚度范圍為50～60埃。

3.如權利要求1所述的側墻結構的制作方法，其特征在于，所述厚度裁剪工藝利用等離子體刻蝕工藝進行，所述等離子體刻蝕工藝的氣體為CF4和O2氣體混合氣體，CF4和O2氣體的流量比的范圍為2∶1～5∶1，偏置功率為0，等離子體刻蝕工藝的腔室壓力為30～70mTorr，工藝時間為10～25秒。

4.如權利要求1所述的側墻結構的制作方法，其特征在于，所述初始氧化層利用低壓化學氣相沉積工藝制作。

5.如權利要求1所述的側墻結構的制作方法，其特征在于，所述氮化硅層的刻蝕工藝采用等離子體刻蝕工藝進行，包括：

利用CF4氣體形成等離子體對氮化硅層進行刻蝕，去除的氮化硅層的厚度為18～22埃；

利用CF4、O2、惰性氣體的混合氣體對氮化硅層進行刻蝕，所述CF4和O2的流量比范圍為1∶1～4∶1，刻蝕時間為10～15秒；

采用CH3F和O2的混合氣體進行刻蝕所述CH3F和O2的流量比范圍為1∶1～3∶1，刻蝕時間為20～30秒。

6.如權利要求1所述的側墻結構的制作方法，其特征在于，所述氮化硅層利用爐管工藝制作。

7.如權利要求1所述的側墻結構的制作方法，其特征在于，還包括：清洗步驟，去除所述厚度剪裁工藝形成的聚合物和顆粒物。