[發明專利]一種寬帶隙多異質結隧穿結結構

無效

• 申請號: 201210207237.8
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN102709349A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 單智發;張永;蔡建九;陳凱軒;林志偉
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0304
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 李寧;唐紹烈

1.一種寬帶隙多異質結隧穿結結構，其特征在于：由四個功能層組成；第一功能層具有第一帶隙和第一型摻雜；第二功能層具有第二帶隙和第一型摻雜，且帶隙小于第一帶隙；第三功能層具有第三帶隙和第二型摻雜；第四功能層具有第四帶隙和第二型摻雜，且帶隙大于第三帶隙。

2.根據權利要求1所述的一種寬帶隙多異質結隧穿結結構，其特征在于：位于外層的第一功能層和第四功能層，其帶隙2.20eV≤Eg≤2.50eV。

3.根據權利要求2所述的一種寬帶隙多異質結隧穿結結構，其特征在于：第一功能層和第四功能層的組成成分為(Al_yGa_1-y)_1-xIn_xP或(Al_yGa_1-y)_1-xIn_xAs，其中In的組分0≤x≤0.85,Al的組分0.50≤y≤1.00，各組分含量以摩爾比計，薄膜厚度為20-100nm。

4.根據權利要求2所述的一種寬帶隙多異質結隧穿結結構，其特征在于：第一功能層和第四功能層的摻雜濃度為5×10¹⁸-5×10²⁰cm^-3。

5.根據權利要求1所述的一種寬帶隙多異質結隧穿結結構，其特征在于：位于內層的第二功能層和第三功能層，其帶隙1.80eV≤Eg≤2.20eV。

6.根據權利要求5所述的一種寬帶隙多異質結隧穿結結構，其特征在于：第二功能層和第三功能層的組成成分為(Al_yGa_1-y)_1-xIn_xP或(Al_yGa_1-y)_1-xIn_xAs，其中In的組分0≤x≤0.85,Al的組分0≤y＜0.50，各組分含量以摩爾比計，薄膜厚度為10-20nm。

7.根據權利要求5所述的一種寬帶隙多異質結隧穿結結構，其特征在于：第二功能層和第三功能層的摻雜濃度為5×10¹⁸-5×10²⁰cm^-3。