[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201210206563.7
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN103515191A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 張翼英;何其旸
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/8247;H01L29/06;H01L27/115
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成一阻擋層；

在所述阻擋層上形成一嵌段共聚物層；

對所述嵌段共聚物層進行退火處理，形成間隔排列的第一材料層和第二材料層；

去除所述第一材料層，暴露出部分阻擋層；

去除所述暴露出的部分阻擋層形成通孔；

在所述通孔內形成納米硅量子點。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在形成阻擋層之前，還包括如下工藝步驟：

形成一柵氧化層，所述柵氧化層位于所述襯底上。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述嵌段共聚物層的厚度為100~1000埃。

4.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述嵌段共聚物層的材料為PS-b-PMMA。

5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一材料層為PMMA層，所述第二材料層為PS層。

6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除所述PMMA層。

7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝為采用乙酸并經紫外光照射的工藝。

8.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在去除所述暴露出的部分阻擋層形成通孔之后，在通孔內形成納米硅量子點之前，還包括如下工藝步驟：

去除所述PS層，暴露出余下部分阻擋層。

9.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用氧等離子體去除所述PS層。

10.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述通孔內形成納米硅量子點的工藝包括如下步驟：

在所述通孔內形成納米硅量子點材料層；

平坦化所述納米硅量子點材料層形成納米硅量子點。

11.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述通孔內形成納米硅量子點之后，還包括如下工藝步驟：

去除所述暴露出的余下部分阻擋層。

12.如權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用均一腐蝕法和化學機械研磨工藝平坦化所述納米硅量子點。

13.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝去除所述暴露出的部分阻擋層。

14.一種利用如權利要求1~13中的任一項所述的半導體結構的形成方法制得的半導體結構，其特征在于，包括：襯底，形成于所述襯底上的納米硅量子點。