[發(fā)明專利]用于制造III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210205978.2 | 申請日： | 2012-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN102842657A | 公開（公告）日： | 2012-12-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 中田尚幸;牛田泰久 | 申請（專利權(quán)）人： | 豐田合成株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡勝有;王春偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 制造 iii 氮化物 半導(dǎo)體 發(fā)光 器件 方法 | ||
1.一種用于制造具有p覆蓋層和p接觸層的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，所述方法包括：
通過Mg摻雜的晶體生長使晶體的至少一部分的極性反轉(zhuǎn)從而形成所述p覆蓋層使得在所述p覆蓋層上具有凹凸形狀；并且
在所述p覆蓋層上沿著所述凹凸形狀形成所述p接觸層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在所述p覆蓋層中Mg的摻雜量為1.2×1020/cm3或更多。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于制造III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在所述p覆蓋層中Mg的摻雜量為1×1021/cm3或更少。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在所述p覆蓋層中Mg的摻雜量為1×1020/cm3至10×1020/cm3。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在所述p覆蓋層中Mg的摻雜量為1.2×1020/cm3至5×1020/cm3。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在所述p覆蓋層中Mg的摻雜量為1.2×1020/cm3至2.4×1020/cm3。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的用于制造III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中所述p覆蓋層由AlGaN形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的用于制造III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中所述p覆蓋層在1kPa至100kPa的壓力下生長。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中所述p覆蓋層在1kPa至100kPa的壓力下生長。
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