[發(fā)明專利]一種銅鎵/銅銦鎵管狀陰極靶材的成型方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210203770.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102703862A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬步洋;緱彥春;王彬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇美特林科特殊合金有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/14 | 分類號(hào): | C23C14/14;C23C14/35;B22D37/00;B22D27/04;B22C9/24 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 211153 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 銅銦鎵 管狀 陰極 成型 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及冶金領(lǐng)域,具體地說(shuō)是一種銅鎵/銅銦鎵管狀陰極靶的成型方法。
背景技術(shù)
能源、環(huán)境已成為全球面臨的重大問(wèn)題,近年來(lái)各國(guó)投入大量資源全力開(kāi)發(fā)太陽(yáng)能電池,在眾多的太陽(yáng)能電池中,銅銦鎵硒薄膜光伏電池作為第二代光伏電池,其主要優(yōu)點(diǎn)是制造成本低,而光電轉(zhuǎn)換效率高,且抗輻射能力強(qiáng)、性能穩(wěn)定等。晶硅太陽(yáng)能電池作為第一代太陽(yáng)能電池,光電轉(zhuǎn)換效率高,但生產(chǎn)其需要大量的高純硅材料,而高純硅的生產(chǎn)過(guò)程需要消耗大量的能源,并造成環(huán)境污染。薄膜太陽(yáng)能電池則消耗的材料少得多,有廣闊的發(fā)展前景。
銅銦鎵硒CuInxGa1-xSe2薄膜太陽(yáng)能電池是薄膜電池中最有發(fā)展?jié)摿Φ碾姵亍K粌H無(wú)毒,對(duì)環(huán)境沒(méi)有污染,而且具有更高的轉(zhuǎn)換效率。制備CIGS太陽(yáng)能薄膜電池的方法有很多,其中磁控濺射法是目前應(yīng)用最多的方法之一,具有濺射速率高、濺射材料與基片結(jié)合牢固、薄膜成分控制精準(zhǔn)等優(yōu)點(diǎn)。
磁控濺射法是目前制備CIGS薄膜的主要技術(shù)之一,濺射沉積所用的原材料是靶材。不同的靶材得到不同的膜系。高質(zhì)量的薄膜濺射制備取決于靶材的品質(zhì),其中靶材的純度、致密度、微觀組織結(jié)構(gòu)是重要的質(zhì)量控制點(diǎn)。
目前,制備CIGS太陽(yáng)能薄膜電池的靶材制造商主要集中在美國(guó)、德國(guó)及日本。國(guó)內(nèi)制備CIGS薄膜的靶材的主要制造工藝包括粉末冶金和熔融鑄造。
(1)粉末冶金工藝制備銅銦鎵硒薄膜所需靶材,是將元素粉末或合金粉末按一定配比混合壓制并燒結(jié)成靶材。粉末冶金法的優(yōu)點(diǎn)是靶材成分均勻,合金成分比例可調(diào),缺點(diǎn)是密度低、雜質(zhì)及氣體含量高、工藝流程長(zhǎng)。常用的粉末冶金工藝包括冷壓燒結(jié)、熱壓和熱等靜壓等。
(2)熔融鑄造是將合金原料按一定成分配比后熔煉,澆注,形成鑄錠。經(jīng)過(guò)冷、熱加工成型到所需坯料,機(jī)加工制成靶材。常用的熔煉方法有感應(yīng)熔煉、電弧熔煉、爐外坩堝熔煉等。熔融法制備的靶材雜質(zhì)含量低,密度高,缺點(diǎn)是對(duì)熔點(diǎn)和密度相差較大的兩種或兩種以上金屬,普通熔煉法難以獲得成分均勻的合金靶材,且制備銅銦鎵硒所需的部分成分的合金難以進(jìn)行后續(xù)的冷、熱加工成型。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,提供一種銅鎵/銅銦鎵管狀陰極靶材及其真空熔鑄成型方法,該靶材細(xì)化了晶粒,提高材料的致密性,并克服了高、低熔點(diǎn)物相的偏析問(wèn)題,同時(shí),底澆注特點(diǎn)改善了銅銦/銅銦鎵合金鑄件的縮孔氣孔等缺陷。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案一種銅鎵/銅銦鎵管狀陰極靶的成型方法流程如下:原料銅塊、銦塊配料裝爐——熔煉,熔煉后期通電烘模——精煉——精煉后期,降溫結(jié)膜,加入鎵,電磁攪拌——底澆注——通水激冷成型——至室溫脫模——機(jī)加工——清洗——真空封裝。
具體過(guò)程包括以下步驟:
1)將銅塊、銦塊置于坩堝中,將鎵置于合金加料倉(cāng);
2)裝料完成后,關(guān)閉爐門,開(kāi)啟真空泵機(jī)組,當(dāng)爐內(nèi)真空度小于10Pa時(shí),開(kāi)始加熱,進(jìn)入熔煉期,熔煉期真空度在1Pa以下,熔煉溫度為800℃~1150℃,待料熔化至約占全部料的2/3時(shí),開(kāi)始通電烘模,烘模溫度為200~400℃,烘模約半小時(shí)左右。
3)熔煉期完成后,進(jìn)入精煉期,精煉溫度為850℃~1200℃,精煉時(shí)間為10?~20min,精煉10~20min后,降溫至720℃~1050℃、結(jié)膜,加入原料鎵,進(jìn)行電磁攪拌3~5min;
4)攪拌完成后進(jìn)行澆注,澆注溫度為820℃~1200℃,采用底澆注,澆注于管狀模具中;
5)澆注完成后進(jìn)行冷卻,冷卻至室溫后出爐,拆卸模具,得到銅鎵/銅銦鎵合金管狀坯料;
6)根據(jù)產(chǎn)品形狀及尺寸要求,對(duì)成型后的管坯機(jī)加工,得到最終尺寸的管狀靶材,對(duì)管狀靶材進(jìn)行超聲波清洗,待干燥后真空封裝,至此,得到能用于光伏材料的銅鎵/銅銦鎵合金管狀陰極靶成品。
所述步驟1)中銅塊和銦塊、鎵的純度均在99.99%以上。
所述步驟1)中配料比例為按重量百分比銅:銦、鎵=50%~90%:10%~50%
所述步驟1)中先在坩堝底部放置銅塊,然后再坩堝中上部放置銦塊,裝料緊密,防止“搭橋”。
所述步驟2)中熔煉期真空度為0.01Pa~1?Pa。
所述成型方法采用的澆注系統(tǒng)包括真空澆注腔室,在真空澆注腔室中設(shè)有底澆注管,在底澆注管的內(nèi)側(cè)設(shè)有冷卻水夾層,在底澆注管的外側(cè)設(shè)有烘模用發(fā)熱體,在冷卻水夾層的底部和上部分別設(shè)有進(jìn)水口和出水口。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





