[發明專利]制造半導體發光裝置的方法

有效

• 申請號: 201210203592.8
• 申請日: 2012-06-15
• 公開（公告）號: CN102832300B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 孟鐘先;樸基鎬;金范埈;柳賢錫;李正賢;金柄均;金起成;尹皙胡
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 王占杰

1.一種制造半導體發光裝置的方法，所述方法包括：

在半導體生長基底上順序地生長第一導電類型半導體層、活性層和第二導電類型半導體層，以形成發光部件；

通過經由導電粘附層將支撐部件結合到所述第二導電類型半導體層的第一側上來在所述第一側上形成所述支撐部件，以將所述支撐部件結合到所述發光部件，所述第一側與所述第二導電類型半導體層的接觸所述活性層的第二側相對；

通過使用所述支撐部件將所述半導體生長基底與所述發光部件分離；以及

將蝕刻氣體施加到所述半導體生長基底，以從所述半導體生長基底的表面去除所述第一導電類型半導體層的殘留物，

其中，施加蝕刻氣體的步驟包括：

將包括在其中沿高度方向裝載的多個半導體生長基底的舟皿設置在反應室中，所述多個半導體生長基底中的每個在其上具有余留在相應的表面上的所述第一導電類型半導體層的殘留物；

將所述反應室的內部進行加熱和增壓，以使所述多個半導體生長基底暴露于預定的溫度和壓力條件；以及

通過多個氣體供給部件將所述蝕刻氣體釋放到所述反應室中，以從所述多個半導體生長基底的所述相應的表面去除所述第一導電類型半導體層的殘留物，

其中，所述多個氣體供給部件設置為沿著所述舟皿的周緣彼此隔開，所述多個氣體供給部件具有與所述反應室的內部沿高度方向劃分的相應區域的高度對應的不同高度，

其中，釋放蝕刻氣體的步驟包括：通過具有不同高度的所述多個氣體供給部件將所述蝕刻氣體釋放到在所述反應室的所述內部沿高度方向劃分的所述相應區域中。

2.根據權利要求1所述的制造半導體發光裝置的方法，所述方法還包括：在施加所述蝕刻氣體之后，檢查所述殘留物是否余留在所述半導體生長基底的所述表面上以及所述半導體生長基底的厚度是否減小。

3.根據權利要求1所述的制造半導體發光裝置的方法，其中，所述第一導電類型半導體層和所述第二導電類型半導體層包括氮化物基半導體層。

4.根據權利要求3所述的制造半導體發光裝置的方法，其中，所述氮化物基半導體層包括GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN。

5.根據權利要求1所述的制造半導體發光裝置的方法，其中，所述支撐部件由導電材料形成。

6.根據權利要求1所述的制造半導體發光裝置的方法，其中，所述蝕刻氣體包括HCl氣體或Cl₂氣體。

7.根據權利要求1所述的制造半導體發光裝置的方法，其中，還將所述蝕刻氣體與輔助氣體混合。

8.根據權利要求7所述的制造半導體發光裝置的方法，其中，所述輔助氣體包括氫氣、氮氣或氬氣。

9.根據權利要求1所述的制造半導體發光裝置的方法，其中，將所述蝕刻氣體等離子化，然后釋放。

10.根據權利要求1所述的制造半導體發光裝置的方法，其中，所述氣體供給部件設置在所述反應室的上表面上，并朝向設置在所述上表面下方的所述半導體生長基底釋放所述蝕刻氣體。

11.根據權利要求1所述的制造半導體發光裝置的方法，其中，所述氣體供給部件沿所述反應室的側部的周緣設置，并朝向所述反應室的中部沿相反的徑向方向供給所述蝕刻氣體。

12.根據權利要求1所述的制造半導體發光裝置的方法，其中，所述反應室被構造為具有單個化學氣相沉積設備，并使所述半導體生長基底定位在設置于所述單個化學氣相沉積設備中的基座的上表面上。

13.根據權利要求1所述的制造半導體發光裝置的方法，其中，所述反應室被構造為具有爐化學氣相沉積設備，并使所述半導體生長基底裝載在設置于所述爐化學氣相沉積設備中的舟皿中。