[發(fā)明專利]一種用于形成硬掩膜層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210196978.0
• 申請日: 2012-06-14
• 公開（公告）號: CN103489758A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新鵬;洪中山
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種用于形成硬掩膜層的方法，包括：

提供襯底，在所述襯底上預(yù)先形成有具有圖案的犧牲層；

在所述襯底的表面以及所述犧牲層的表面和側(cè)壁上形成硅層；

執(zhí)行回蝕刻，以在所述犧牲層的側(cè)壁上形成由所述硅層構(gòu)成的間隙壁；

執(zhí)行橫向外延生長，以在所述間隙壁的表面上形成鍺硅外延層；以及

去除所述犧牲層，留下所述間隙壁和所述鍺硅外延層，作為所述硬掩膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述硅層采用原子層沉積法形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述橫向外延生長是在500~1000℃的溫度且10~100托的壓強(qiáng)下，以包含SiCl₄、SiH₄和SiH₂Cl₂中的至少一種以及GeH₄的混合氣體為源氣體進(jìn)行的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層采用干法剝離或濕法剝離去除，而不是干法蝕刻去除。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述犧牲層包含SiN、SiO₂、光致抗蝕劑和先進(jìn)構(gòu)圖膜材料中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述硬掩膜層中的最小間距不大于所述犧牲層中的最小間距的三分之一。

7.一種用于自對準(zhǔn)雙重構(gòu)圖的方法，所述方法包括：

提供襯底，在所述襯底上形成目標(biāo)材料層；

在所述目標(biāo)材料層上形成具有圖案的犧牲層；以及

使用如權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的方法形成的硬掩膜層進(jìn)行掩蔽來執(zhí)行后續(xù)工藝。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在所述目標(biāo)材料層和所述犧牲層之間形成有第三硬掩膜材料層、蝕刻停止層和界面層中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述后續(xù)工藝為蝕刻工藝、離子注入工藝或選擇性外延生長工藝。