[發(fā)明專利]一種化合物半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210195095.8
• 申請日: 2012-06-13
• 公開（公告）號: CN103489860A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林正國;李思儒;許榮豪;蔡緒孝
• 申請（專利權(quán)）人: 穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/06
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種化合物半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)，整合一場效晶體管、一異質(zhì)接面雙極晶體管以及一閘流管晶體管的磊晶結(jié)構(gòu)，依序包含：

一基板；

一場效晶體管磊晶結(jié)構(gòu)，位于該基板之上，包含：

一通道層，以及

一n型摻雜層位于該通道層之上；

一n型摻雜蝕刻終止層；

一p型插入層，位于該n型摻雜蝕刻終止層之上；以及

一異質(zhì)接面雙極晶體管結(jié)構(gòu)，位于該p型插入層之上，包含：

一次集極層，為一n型摻雜層，

一集極層，位于該次集極層之上，為一n型摻雜層，

一基極層，位于該集極層之上，為一p型摻雜層，以及

一射極層，位于該基極層之上，為一n型摻雜層；

其中該場效晶體管磊晶結(jié)構(gòu)、該n型摻雜蝕刻終止層、該p型插入層以及該異質(zhì)接面雙極晶體管磊晶結(jié)構(gòu)的次集極層、集極層與基極層構(gòu)成一閘流管晶體管磊晶結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，該n型摻雜蝕刻終止層由磷化銦鎵所構(gòu)成，其摻雜濃度為大于等于1×10¹⁵cm^-3且小于等于1×10²²cm^-3，且其厚度為介于至之間。

3.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，該p型插入層包含一層或復(fù)數(shù)層p型摻雜層，其中兩兩相鄰的p型摻雜層其摻雜濃度不同，該p型插入層每一層摻雜濃度為大于等于1×10¹⁵cm^-3且小于等于1×10²²cm^-3，且其每一層厚度為介于至之間。

4.如權(quán)利要求3所述的化合物半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，該p型插入層包含一p+型摻雜層以及一p-型摻雜層，其中該p+型摻雜層為一高濃度p型摻雜層，而該p-型摻雜層為一低濃度p型摻雜層，該p-型摻雜層位于該p+型摻雜層之上。

5.如權(quán)利要求4所述的化合物半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，該p+型摻雜層以及該p-型摻雜層由砷化鎵所構(gòu)成。

6.如權(quán)利要求4所述的化合物半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，該p+型摻雜層的摻雜濃度為大于等于1×10¹⁸cm^-3且小于等于1×10²²cm^-3，且其厚度為大于等于且小于等于

7.如權(quán)利要求4所述的化合物半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，該p-型摻雜層的摻雜濃度為大于等于1×10¹⁶cm^-3且小于等于1×10¹⁷cm^-3，且其厚度為大于等于且小于等于

8.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，該場效晶體管磊晶結(jié)構(gòu)為一n型金屬半導(dǎo)體場效晶體管磊晶結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，該場效晶體管磊晶結(jié)構(gòu)為一n型高電子遷移率晶體管磊晶結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，該場效晶體管磊晶結(jié)構(gòu)為一n型偽晶型高電子遷移率晶體管磊晶結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，構(gòu)成該基板的材料為砷化鎵或磷化銦。