[發明專利]減少晶圓電弧放電的方法、晶圓結構和集成電路制造方法

在審

• 申請號: 201210191446.8
• 申請日: 2012-06-11
• 公開（公告）號: CN102709254A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 黎坡;孔蔚然
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/31
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種減少晶圓電弧放電的方法，所述晶圓包括環繞芯片的密封環，所述密封環用于保護晶圓中的芯片內部電路、防止劃片損傷；其特征在于所述密封環中布置了開口，從而不形成密閉的環，由此通過密封環中開口的布置來使得所述密封環不對晶圓電弧放電進行傳播。

2.根據權利要求1所述的減少晶圓電弧放電的方法，其特征在于，所述密封環包括通過填充了金屬的通孔而相互連接的頂層金屬和下層金屬。

3.根據權利要求2所述的減少晶圓電弧放電的方法，其特征在于，所述頂層金屬中布置了開口第一開口，所述下層金屬中布置了第二開口，并且，所述頂層金屬的所述第一開口和所述下層金屬的所述第二開口之間沒有布置填充了金屬的通孔。

4.一種晶圓結構，其特征在于包括環繞芯片的密封環，所述密封環用于保護晶圓中的芯片內部電路、防止劃片損傷；并且，所述密封環中布置了開口，從而不形成密閉的環，由此通過密封環中開口的布置來使得所述密封環不對晶圓電弧放電進行傳播。

5.根據權利要求4所述的晶圓結構，其特征在于，所述密封環包括通過填充了金屬的通孔而相互連接的頂層金屬和下層金屬。

6.根據權利要求5所述的晶圓結構，其特征在于，所述頂層金屬中布置了開口第一開口，所述下層金屬中布置了第二開口，并且，所述頂層金屬的所述第一開口和所述下層金屬的所述第二開口之間沒有布置填充了金屬的通孔。

7.一種采用了根據權利要求1至3之一所述的減少晶圓電弧放電的方法的集成電路制造方法。