[發明專利]用于磁共振成像設備的螺旋梯度線圈

有效

• 申請號: 201210189810.7
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN102967835B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: T·霍利斯;譚鳳順
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: G01R33/385
• 分類號: G01R33/385
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 柯廣華,劉春元

1.一種梯度線圈，包括：

由第一多匝導線組成的第一層線圈，所述第一多匝導線以基本平行的軌跡從圓柱形基板的上周緣和下周緣中的一個以第一螺旋方向沿著所述圓柱形基板的內側壁螺旋地行進到上周緣和下周緣中的另一個并穿過所述基板從所穿出的位置以第二螺旋方向沿著所述圓柱形基板的外側壁螺旋地行進到所述上周緣和下周緣中的所述一個，從而使得所述第一多匝導線中的每匝導線均圍繞所述圓柱形基板的側壁環繞一周并且均包括沿著所述內側壁盤繞的第一部分和沿著所述外側壁盤繞的第二部分；以及

由第二多匝導線組成的第二層線圈，所述第二多匝導線以基本平行的軌跡從圓柱形基板的上周緣和下周緣中的一個以第二螺旋方向沿著所述圓柱形基板的內側壁螺旋地行進到上周緣和下周緣中的另一個并穿過所述基板從所穿出的位置以第一螺旋方向沿著所述圓柱形基板的外側壁螺旋地行進到所述上周緣和下周緣中的所述一個，從而使得所述第二多匝導線中的每匝導線均圍繞所述圓柱形基板的側壁環繞一周并且均包括沿著所述內側壁盤繞的第一部分和沿著所述外側壁盤繞的第二部分，

其中，所述第一多匝導線和所述第二多匝導線中每匝導線的第一部分組成所述梯度線圈的主線圈，并且所述第一多匝導線和所述第二多匝導線中每匝導線的第二部分組成所述梯度線圈的屏蔽線圈。

2.如權利要求1所述的梯度線圈，其中，所述第一螺旋方向和第二螺旋方向相反。

3.如權利要求2所述的梯度線圈，其中，所述第一螺旋方向為左旋方向，而第二螺旋方向為右旋方向。

4.如權利要求2所述的梯度線圈，其中，所述第一螺旋方向為右旋方向，而第二螺旋方向為左旋方向。

5.如權利要求1所述的梯度線圈，其中，所述第一多匝導線和所述第二多匝導線中每匝導線的第二部分穿過基板連接到下一匝導線的第一部分。

6.如權利要求1所述的梯度線圈，其中，所述第一層線圈的電流方向與所述第二層線圈的電流方向相同。

7.如權利要求6所述的梯度線圈，其中，所述第一層線圈的電流方向和所述第二層線圈的電流方向均為逆時針方向。

8.如權利要求6所述的梯度線圈，其中，所述第一層線圈的電流方向和所述第二層線圈的電流方向均為順時針方向。

9.如權利要求1所述的梯度線圈，其中，所述第一多匝導線中各匝導線的第一部分與所述第二多匝導線中各匝導線的第一部分在所述基板的內側壁上相互交叉成網狀，并且所述第一多匝導線中各匝導線的第二部分與所述第二多匝導線中各匝導線的第二部分在所述基板的外側壁上相互交叉成網狀。

10.如權利要求1所述的梯度線圈，其中，所述第一層線圈和所述第二層線圈被配置為使得所述主線圈和所述屏蔽線圈在所述基板的軸向上的電流分量基本為零。

11.如權利要求1所述的梯度線圈，其中，所述第一層線圈和所述第二層線圈被配置為通過調節所述主線圈和所述屏蔽線圈在所述基板的側壁的圓周方向上的電流分量，使泄露場最小化。

12.如權利要求1所述的梯度線圈，其中所述梯度線圈是X梯度線圈。

13.如權利要求1所述的梯度線圈，其中所述梯度線圈是Y梯度線圈。

14.如權利要求1所述的梯度線圈，其中所述梯度線圈是Z梯度線圈。

15.如權利要求1所述的梯度線圈，還包括中性墊片，所述墊片與第一或第二層線圈在同一平面內，并且被插入平行于第一或第二層線圈的導線的螺旋形軌跡中。

16.如權利要求1所述的梯度線圈，其中用于中性墊片的插槽在主線圈和屏蔽線圈之間延伸。

17.如權利要求1所述的梯度線圈，其中低階中性墊片位于梯度線圈的末端。

18.如權利要求1所述的梯度線圈，其與傳統的Golay繞組或Crescent線圈相結合地使用。

19.如權利要求1所述的梯度線圈，其中在第一和第二層線圈之間橫跨有導線，或者在第一和第二層線圈之間形成有電連接。

20.如權利要求1所述的梯度線圈，其中在基板的端部中切割有插槽，以使得梯度線圈的某些導線無法到達端部。