[發(fā)明專利]FinFET及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210189758.5
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN103199011A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設計）人: 何嘉政;陳自強;林以唐;張智勝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

相關申請的交叉參考

本申請涉及以下共同轉(zhuǎn)讓的美國專利申請：序列號為No.13/346,411，代理人卷號No.TSM11-1162，標題為“FinFETs?and?the?Methods?for?Forming?the?Same”，此申請由此通過參考合并于此。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體領域，更具體地，本發(fā)明涉及一種加強結(jié)構。

背景技術

隨著集成電路的尺寸的持續(xù)降低和對集成電路速度需求的持續(xù)增長，晶體管需要以較小的尺寸具有較高的驅(qū)動電流。由此開發(fā)了鰭狀場效應晶體管(FinFET)。FinFET晶體管具有增加的溝道寬度。溝道寬度的增加通過形成包括在鰭狀件的側(cè)壁上的部分和在鰭狀件的頂面上的部分的溝道而獲得。FinFET可為雙柵極FET，其包括在相應鰭狀件的側(cè)壁上的溝道，但在相應鰭狀件的頂面上不存在溝道。FinFET還可為三柵極FET，其包括在相應鰭狀件的側(cè)壁和頂面上的溝道。由于晶體管的驅(qū)動電流正比于溝道寬度，因此FinFETs的驅(qū)動電流得到增加。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術中所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種方法，包括：提供一種結(jié)構，所述結(jié)構包括：半導體襯底；隔離區(qū)域，位于所述半導體襯底的表面上；多個半導體帶狀件，位于所述隔離區(qū)域之間；以及多個半導體鰭狀件，位于所述多個半導體帶狀件中相應半導體帶狀件上方并與所述多個半導體帶狀件中相應半導體帶狀件對準，其中，所述多個半導體鰭狀件相互平行并包括兩個邊緣鰭狀件和位于所述兩個邊緣鰭狀件之間的中心鰭狀件；蝕刻所述兩個邊緣鰭狀件中的每一個的中部；在所述中心鰭狀件的中部的側(cè)壁上形成柵極電介質(zhì)；在柵極電介質(zhì)上方形成柵電極；執(zhí)行外延，以形成外延區(qū)域，其中，所述外延區(qū)域延伸至所述兩個邊緣鰭狀件下面的所述多個半導體帶狀件中的兩個的上方，并且延伸至所述中心鰭狀件下面的所述多個半導體帶狀件之一的上方；以及在所述外延區(qū)域中形成源極/漏極區(qū)域。

在該方法中，在蝕刻所述兩個邊緣鰭狀件的每一個的中部的步驟中，所述兩個邊緣鰭狀件的相對端部不被蝕刻。

在該方法中，在蝕刻所述兩個邊緣鰭狀件的每一個的中部的步驟中，所述兩個邊緣鰭狀件基本上全部被去除。

在該方法中，還包括：在所述外延之前，蝕刻所述中心鰭狀件的端部和所述兩個邊緣鰭狀件的相對端部，以形成凹部，其中，所述外延區(qū)域從所述凹部生長。

在該方法中，在蝕刻所述兩個邊緣鰭狀件的每一個的中部的步驟之后，暴露出所述兩個邊緣鰭狀件下面的所述多個半導體帶狀件中的兩個的頂面。

在該方法中，所述多個半導體帶狀件中的兩個的頂面與所述隔離區(qū)域的頂面基本齊平。

在該方法中，在蝕刻所述兩個邊緣鰭狀件的每一個的中部的步驟中，所述兩個邊緣鰭狀件之間的所述多個半導體鰭狀件均不被蝕刻。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種方法，包括：形成多個半導體鰭狀件，其中，所述多個半導體鰭狀件相互平行并且包括兩個邊緣鰭狀件和位于所述兩個邊緣鰭狀件之間的中心鰭狀件，并且其中，所述兩個邊緣鰭狀件的每一個均包括相互分離的兩個端部；在所述中心鰭狀件的頂面和側(cè)壁上形成柵極電介質(zhì)；在所述柵極電介質(zhì)上方形成柵電極；將所述兩個邊緣鰭狀件的端部和所述中心鰭狀件的端部凹進；執(zhí)行外延，以形成外延區(qū)域，其中，從由所述兩個邊緣鰭狀件的端部留下的間隔生長的外延材料與從由所述中心鰭狀件的端部留下的間隔生長的外延材料相結(jié)合，以形成所述外延區(qū)域；以及在所述外延區(qū)域中形成源極/漏極區(qū)域。

在該方法中，在所述兩個邊緣鰭狀件之間具有多個中心鰭狀件，并且其中，所述柵極電介質(zhì)和所述柵電極形成在所述多個中心鰭狀件的側(cè)壁和頂面上。

在該方法中，所述多個半導體鰭狀件具有位于所述多個半導體鰭狀件的相鄰半導體鰭狀件之間的第一間隔，并且其中，所述兩個邊緣鰭狀件具有與所述多個半導體鰭狀件之外的半導體鰭狀件形成的第二間隔，并且其中，所述第二間隔大于所述第一間隔。

在該方法中，在蝕刻所述兩個邊緣鰭狀件的每一個的中部之后，暴露出位于所述兩個邊緣鰭狀件下面并且鄰接所述兩個邊緣鰭狀件的半導體帶狀件的頂面。

在該方法中，所述頂面與鄰接所述半導體帶狀件的隔離區(qū)域基本齊平。