[發明專利]一種薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201210189693.4
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN102723365A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 金在光;李小和;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及薄膜晶體管液晶顯示器制造領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術

在TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜場效應晶體管液晶顯示器)行業中，主要是通過像素電極和公共電極之間產生的電場，來控制液晶分子的轉動，達到所要顯示畫面的效果。像素電極的電位能否達到要求值，主要是由TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜場效應晶體管，簡稱薄膜晶體管)的開啟電流I_on決定的，理論上式中μ為載流子遷移率，C_i為單位面積的平行板電容，W為溝道寬度，L為溝道長度，V_G為柵極電壓，V_th為閾值電壓。

在現有技術中，發明人發現由于工藝能力的限制，溝道長度很難減小，提高I_on的方法，主要是增大溝道寬度，但是溝道寬度的增加，勢必會增加寄生電容，從而增加負載；并且會減少開口率；而且現有技術主要是通過一次曝光的方式同時形成薄膜晶體管的源極和漏極，由于工藝制程能力的限制，源極和漏極之間的距離很難做到較小的值，因此溝道長度的減小也比較困難。

發明內容

本發明的實施例提供一種薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板和顯示裝置，通過兩次曝光分別形成薄膜晶體管的源極和漏極，可以實現溝道長度減小，達到提高薄膜晶體管充電能力的目的。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，提供一種薄膜晶體管，包括：柵極、覆蓋所述柵極的柵絕緣層、位于所述柵絕緣層上方的有源層，在所述有源層上方形成有源極和漏極，覆蓋所述源極和漏極的保護層，其中在所述源極和漏極之間的有源層上形成有第一溝道，

所述漏極和所述源極為通過兩次構圖工藝制作形成。

一方面，提供一種陣列基板，包括上述的任一薄膜晶體管。

一方面、提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

一方面，提供一種薄膜晶體管的制造方法，包括在基板上形成柵極，在所述柵極上方形成柵絕緣層，在所述柵絕緣層上形成有源層，還包括：

制作覆蓋所述有源層的第一導電材料層，通過一次構圖工藝形成漏極或源極；

制作第二導電材料層，通過一次構圖工藝形成對應所述漏極的源極或對應所述源極的漏極；

在所述源極和漏極上方形成保護層。

本發明的實施例提供的薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板和顯示裝置，通過兩次曝光分別形成薄膜晶體管的源極和漏極，可以實現溝道長度減小，達到提高薄膜晶體管充電能力的目的。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的一種薄膜晶體管結構示意圖；

圖2為本發明實施例提供的另一種薄膜晶體管結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的又一種薄膜晶體管結構示意圖；

圖4為本發明實施例提供的一種陣列基板結構示意圖；

圖5為本發明實施例提供的另一種陣列基板結構示意圖；

圖6為本發明實施例提供的又一種陣列基板結構示意圖；

圖7為本發明實施例提供的再一種陣列基板結構示意圖；

圖8為本發明實施例提供的一種薄膜晶體管制造方法的流程示意圖；

圖9為本發明實施例提供的一種陣列基板制造方法的流程示意圖；

圖9a～9e為本發明實施例提供的按照如圖8所示流程制作的陣列基板制造過程中的結構示意圖；

圖10為本發明實施例提供的另一種陣列基板制造方法的流程示意圖；

圖11為本發明實施例提供的又一種陣列基板制造方法的流程示意圖。

附圖標記：

1-柵極，2-柵絕緣層，3-有源層，4-源極，5-漏極，6像素電極，7-第一溝道，8-保護層，9-輔助漏極，10-公共電極，11-第二溝道。

具體實施方式