[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件、具有半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體系統(tǒng)及其操作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210187657.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103093833B | 公開(公告)日: | 2017-05-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李政勛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C29/50 | 分類號(hào): | G11C29/50 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11363 | 代理人: | 俞波,郭放 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 具有 半導(dǎo)體 系統(tǒng) 及其 操作方法 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2011年11月8日提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2011-0116017的優(yōu)先權(quán),其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù),且更具體而言涉及一種用于在半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生數(shù)據(jù)參考電壓的半導(dǎo)體器件、包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體系統(tǒng)及其操作方法。
背景技術(shù)
在諸如雙數(shù)據(jù)速率類型四(double data rate type four,DDR4)存儲(chǔ)器件的低功率和高速半導(dǎo)體器件中,在半導(dǎo)體器件中執(zhí)行限定數(shù)據(jù)輸入緩沖器的參考電壓電平的數(shù)據(jù)參考電壓VREF_DQ的訓(xùn)練測(cè)試。
為了執(zhí)行訓(xùn)練測(cè)試,半導(dǎo)體控制器向半導(dǎo)體器件提供6比特電平訓(xùn)練碼,且半導(dǎo)體器件通過響應(yīng)于6比特電平訓(xùn)練碼調(diào)整數(shù)據(jù)參考電壓VREF_DQ的電平來在半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生數(shù)據(jù)參考電壓VREF_DQ。
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中,半導(dǎo)體控制器產(chǎn)生數(shù)據(jù)參考電壓VREF_DQ且將所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)參考電壓VREF_DQ提供給半導(dǎo)體器件。然而,在上述配置中,數(shù)據(jù)參考電壓VREF_DQ產(chǎn)生于半導(dǎo)體器件中,且因而要感測(cè)半導(dǎo)體器件外部的參數(shù)以便能獲得訓(xùn)練測(cè)試的結(jié)果。例如,訓(xùn)練測(cè)試的結(jié)果可為直至數(shù)據(jù)參考電壓VREF_DQ達(dá)到目標(biāo)電平所花費(fèi)的時(shí)間。
當(dāng)直接感測(cè)參數(shù)時(shí),歸因于監(jiān)控焊盤和感測(cè)設(shè)備的電容性元件和負(fù)載元件,所測(cè)量的參數(shù)可能并非準(zhǔn)確。
更具體而言,盡管使用諸如納秒的小單位來測(cè)量參數(shù),但感測(cè)不在半導(dǎo)體器件中的參數(shù)難以準(zhǔn)確地進(jìn)行測(cè)量。
因此,當(dāng)數(shù)據(jù)參考電壓VREF_DQ沒有正常地產(chǎn)生于半導(dǎo)體器件中時(shí),可能不能準(zhǔn)確地感測(cè)數(shù)據(jù)參考電壓VREF_DQ。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件、具有該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體系統(tǒng)及其操作方法,所述半導(dǎo)體器件操作以準(zhǔn)確測(cè)量參數(shù),諸如數(shù)據(jù)參考電壓達(dá)到目標(biāo)電平的時(shí)間。
本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件、具有該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體系統(tǒng)及其操作方法,所述半導(dǎo)體器件在半導(dǎo)體器件的操作頻率很高時(shí)仍能使穩(wěn)定的感測(cè)操作得到執(zhí)行。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,一種半導(dǎo)體器件包括:數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元,所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元被配置成接收輸入數(shù)據(jù),以邏輯電平之間的第一電壓電平差輸出所述輸入數(shù)據(jù),且輸出邏輯電平與所述輸入數(shù)據(jù)的邏輯電平有所差別的比較數(shù)據(jù);測(cè)試操作單元,所述測(cè)試操作單元被配置成在由測(cè)試進(jìn)入命令和測(cè)試退出命令所限定的測(cè)試操作時(shí)段期間響應(yīng)于電壓電平是響應(yīng)于電平測(cè)試碼判定的數(shù)據(jù)參考電壓而周期性地判定測(cè)試數(shù)據(jù)的邏輯電平,且通過比較所述比較數(shù)據(jù)的邏輯電平與所述測(cè)試數(shù)據(jù)的邏輯電平而產(chǎn)生測(cè)試結(jié)果信號(hào);以及測(cè)試操作感測(cè)信號(hào)發(fā)生單元,所述測(cè)試操作感測(cè)信號(hào)發(fā)生單元被配置成產(chǎn)生測(cè)試操作感測(cè)信號(hào),所述測(cè)試操作感測(cè)信號(hào)響應(yīng)于測(cè)試進(jìn)入命令被激活而響應(yīng)于測(cè)試結(jié)果信號(hào)被去激活。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例,一種半導(dǎo)體系統(tǒng)包括:半導(dǎo)體控制器,所述半導(dǎo)體控制器被配置成在測(cè)試準(zhǔn)備操作時(shí)段期間輸出比較數(shù)據(jù),在測(cè)試操作時(shí)段期間輸出測(cè)試數(shù)據(jù)和具有周期性地改變的值的電平測(cè)試碼,且響應(yīng)于半導(dǎo)體器件的輸出信號(hào)而感測(cè)電平測(cè)試碼達(dá)到目標(biāo)值所花費(fèi)的時(shí)間;以及半導(dǎo)體器件,所述半導(dǎo)體器件被配置成在測(cè)試準(zhǔn)備操作時(shí)段期間儲(chǔ)存比較數(shù)據(jù)的邏輯電平,在測(cè)試操作時(shí)段期間響應(yīng)于電平測(cè)試碼而判定數(shù)據(jù)參考電壓的電壓電平,響應(yīng)于數(shù)據(jù)參考電壓而決定測(cè)試數(shù)據(jù)的邏輯電平,且通過比較測(cè)試數(shù)據(jù)的邏輯電平與比較數(shù)據(jù)的邏輯電平而產(chǎn)生輸出信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例,一種用于操作半導(dǎo)體系統(tǒng)的方法包括以下步驟:響應(yīng)于來自半導(dǎo)體控制器的測(cè)試準(zhǔn)備進(jìn)入命令、比較數(shù)據(jù)和測(cè)試準(zhǔn)備退出命令而進(jìn)入半導(dǎo)體器件的測(cè)試準(zhǔn)備周期,通過控制半導(dǎo)體器件中的比較數(shù)據(jù)的邏輯電平而儲(chǔ)存比較數(shù)據(jù),且從半導(dǎo)體器件的測(cè)試準(zhǔn)備操作時(shí)段退出;從半導(dǎo)體控制器輸出測(cè)試進(jìn)入命令,從半導(dǎo)體控制器輸出具有周期性地改變的值的電平測(cè)試碼和對(duì)應(yīng)于周期的數(shù)目的測(cè)試數(shù)據(jù),且在輸出測(cè)試進(jìn)入命令的測(cè)試操作之后從半導(dǎo)體控制器輸出測(cè)試退出命令;在響應(yīng)于測(cè)試進(jìn)入命令和測(cè)試退出命令所限定的測(cè)試操作時(shí)段中響應(yīng)于電平測(cè)試碼和測(cè)試數(shù)據(jù)而周期性地判定半導(dǎo)體器件中的數(shù)據(jù)參考電壓的電壓電平,基于半導(dǎo)體器件中的數(shù)據(jù)參考電壓而決定測(cè)試數(shù)據(jù)的邏輯電平,且通過比較測(cè)試數(shù)據(jù)的邏輯電平與比較數(shù)據(jù)而從半導(dǎo)體器件輸出測(cè)試操作感測(cè)信號(hào);以及響應(yīng)于測(cè)試操作感測(cè)信號(hào)而判定直至電平測(cè)試碼的值在半導(dǎo)體控制器中達(dá)到目標(biāo)值所花費(fèi)的時(shí)間。
附圖說明
圖1A和圖1B是說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置的框圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于海力士半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)海力士半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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G11C 靜態(tài)存儲(chǔ)器
G11C29-00 存儲(chǔ)器正確運(yùn)行的校驗(yàn);備用或離線操作期間測(cè)試存儲(chǔ)器
G11C29-02 .損壞的備用電路的檢測(cè)或定位,例如,損壞的刷新計(jì)數(shù)器
G11C29-04 .損壞存儲(chǔ)元件的檢測(cè)或定位
G11C29-52 .存儲(chǔ)器內(nèi)量保護(hù);存儲(chǔ)器內(nèi)量中的錯(cuò)誤檢測(cè)
G11C29-54 .設(shè)計(jì)檢測(cè)電路的裝置,例如,可測(cè)試性設(shè)計(jì)
G11C29-56 .用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的外部測(cè)試裝置,例如,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備





