[發明專利]振蕩電路

無效

• 申請號: 201210186821.X
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號: CN102820851A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 中村隆行;酒井稔
• 申請（專利權）人: 三美電機株式會社
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04;H03B5/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 曾賢偉;范勝杰

1.一種振蕩電路，其特征在于，具備：

恒壓生成電路；

生成振蕩輸出的振蕩輸出生成電路；

輸出電路，該輸出電路中并列地具有多個MOSFET電路，所述多個MOSFET電路各自的輸出點互相連接，所述多個MOSFET電路被供給通過所述恒壓生成電路生成的恒定電壓作為電源電壓；以及

驅動電路，其按照所述振蕩輸出來驅動從所述多個MOSFET電路中根據選擇輸入而選擇出的MOSFET電路，

根據所述選擇輸入而未被選擇的MOSFET電路的輸出為高阻抗。

2.根據權利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，

所述多個MOSFET電路分別具有串聯連接了高端MOSFET和低端MOSFET的結構，

所述輸出點是所述高端MOSFET和所述低端MOSFET之間的連接點。

3.根據權利要求2所述的振蕩電路，其特征在于，

所述多個MOSFET電路分別相對于所述連接點在高端具備電阻。

4.根據權利要求3所述的振蕩電路，其特征在于，

所述多個MOSFET電路分別相對于所述連接點在低端具備電阻。

5.根據權利要求2至4中任意一項所述的振蕩電路，其特征在于，

所述高端MOSFET和所述低端MOSFET是N溝道MOSFET。

6.根據權利要求2至5中任意一項所述的振蕩電路，其特征在于，

所述驅動電路，

針對每個所述高端MOSFET的柵極具備根據選擇輸入來決定可否驅動所述高端MOSFET的第一開關電路，

針對每個所述低端MOSFET的柵極具備根據選擇輸入來決定可否驅動所述低端MOSFET的第二開關電路，

具備根據所述振蕩輸出而被驅動的CMOS反相器，

供給所述CMOS反相器的輸出電壓作為所述第一開關電路和所述第二開關電路中某一方的信號輸入，供給所述振蕩輸出作為另一方的信號輸入，

將構成根據所述選擇輸入而未被選擇的MOSFET電路的高端MOSFET的輸出和低端MOSFET的輸出都控制為高阻抗。

7.根據權利要求6所述的振蕩電路，其特征在于，

所述第一開關電路以及所述第二開關電路分別具有串聯連接了開關電路用高端MOSFET和開關電路用低端MOSFET的結構。

8.根據權利要求7所述的振蕩電路，其特征在于，

根據選擇輸入對所述開關電路用高端MOSFET以及所述開關電路用低端MOSFET進行柵極驅動，

所述CMOS反相器的輸出電壓或所述振蕩輸出被提供給所述開關電路用高端MOSFET。

9.根據權利要求6至8中任意一項所述的振蕩電路，其特征在于，

供給通過所述恒壓生成電路生成的恒定電壓作為所述CMOS反相器的電源電壓。

10.根據權利要求9所述的振蕩電路，其特征在于，

所述恒壓生成電路具備：

從直流電壓生成預定的恒定電壓的恒壓源；以及

向漏極供給所述直流電壓、向柵極供給所述預定的恒定電壓的耗盡型N溝道MOSFET，

供給所述預定的恒定電壓，作為所述CMOS反相器的電源電壓，

供給所述耗盡型N溝道MOSFET的源極電壓，作為所述多個MOSFET電路的電源電壓。