[發明專利]使用耦合溝道的反熔絲存儲器及其操作方法

有效

• 申請號: 201210186455.8
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號: CN102867829A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 盧皓彥;陳信銘;楊青松
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L23/525;H01L21/8247
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種使用耦合溝道的反熔絲存儲器，包括：

基底；

第二導電型的第一摻雜區，設置于該基底中；

反熔絲柵極，設置于該基底上；以及

反熔絲層，設置于該反熔絲柵極與該基底之間；

耦合柵極，設置于該第一摻雜區與該反熔絲柵極之間的該基底上，該耦合柵極與該反熔絲柵極間隔一間隙；以及

柵極介電層，設置于該耦合柵極與該基底之間，

其中于該耦合柵極及該反熔絲柵極施加電壓以產生一邊緣電場效應，通過該邊緣電場效應于該反熔絲柵極與該耦合柵極之間的該基底中形成感應電荷，并形成一反轉溝道。

2.如權利要求1所述的反熔絲存儲器，其中該基底為一第一導電型，且一耦合溝道由該反熔絲柵極與該耦合柵極之間的該基底構成。

3.如權利要求2所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器，其中該第一摻雜區設置于該第一導電型的一阱區中，且該阱區的一部分位于該耦合柵極下方。

4.如權利要求2所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器，還包括該第二導電型的第二摻雜區，設置于該第一摻雜區與該耦合柵極之間。

5.如權利要求4所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器，還包括一口袋摻雜區，設置于該第二摻雜區下方。

6.如權利要求1所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器，還包括間隙壁，設置于該耦合柵極及該反熔絲柵極側壁。

7.如權利要求1所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器，其中該間隙的長度為2微米以下。

8.如權利要求1所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器，其中，使該反熔絲柵極下方的該反熔絲層擊穿來進行程式化操作。

9.如權利要求1所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器，其中該反熔絲層與該柵極介電層的厚度相同。

10.如權利要求2所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器，其中該第一導電型為P型及N型的其中的一個，該第二導電型為P型及N型的其中的另一個。

11.如權利要求1所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器，其中該基底具有該第一導電型，在該基底中設置有一第一導電型的阱區，其中一耦合溝道由該反熔絲柵極與該耦合柵極之間的該阱區構成。

12.如權利要求1所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器，還包括隔離結構，設置于該基底中，其中該反熔絲柵極設置于該耦合柵極與該隔離結構之間的該基底上。

13.如權利要求12所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器，其中該反熔絲柵極的一部分設置于該隔離結構上。

14.如權利要求1所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器，還包括該第一導電型的第三摻雜區，其中該反熔絲柵極設置于該耦合柵極與該第三摻雜區之間的該基底上。

15.一種使用耦合溝道的反熔絲存儲器的操作方法，該反熔絲存儲器包括：

摻雜區，設置于一基底中；反熔絲柵極，設置于該基底上；以及耦合柵極，設置于該摻雜區與該反熔絲柵極之間的該基底上，且該反熔絲柵極與該耦合柵極間隔一間隙，該反熔絲存儲器的操作方法包括：

進行程式化操作時，于該耦合柵極施加一第一電壓，于該反熔絲柵極施加一第二電壓，于該摻雜區施加一第三電壓，其中該第一電壓與該第二電壓足以產生一邊緣電場效應，通過該邊緣電場效應于該反熔絲柵極與該耦合柵極之間的該基底中形成感應電荷，并形成一反轉溝道，該反轉溝道于該反熔絲柵極與該耦合柵極之間的該基底中作為一耦合溝道，并使該溝道區開啟，該第二電壓與該第三電壓的電壓差足以使該反熔絲柵極下方的一反熔絲層擊穿。

16.如權利要求15所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器的操作方法，其中該第一電壓與該第三電壓的電壓差不足以使該耦合柵極下方的一柵介電層擊穿。

17.如權利要求15所述的使用耦合溝道的反熔絲存儲器的操作方法，其中該第一電壓為該第二電壓的一半。