[發明專利]相變隨機存取存儲器件及其制造方法無效
| 申請號： | 201210185827.5 | 申請日： | 2012-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN102842673A | 公開（公告）日： | 2012-12-26 |
| 發明（設計）人： | 李章旭 | 申請（專利權）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;郭放 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 隨機存取存儲器 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種相變隨機存取存儲器件即PCRAM器件，包括：
半導體襯底；
結字線，所述結字線被形成在所述半導體襯底上；
外延字線，所述外延字線被形成在所述結字線上；以及
開關器件，所述開關器件被形成在所述外延字線上。
2.如權利要求1所述的PCRAM器件，其中，所述結字線包括含有n型雜質和金屬材料中的任何一種的材料。
3.如權利要求2所述的PCRAM器件，其中，所述外延字線包括生長的硅材料。
4.如權利要求1所述的PCRAM器件，其中，所述PCRAM器件不包括字線接觸。
5.一種制造相變隨機存取存儲器件即PCRAM器件的方法，包括以下步驟：
提供半導體襯底；
在所述半導體襯底上形成結字線；
在所述結字線上生長外延層以形成外延字線；
在所述外延字線上形成層間絕緣層；
刻蝕所述層間絕緣層以形成接觸孔；以及
在所述接觸孔中形成開關器件。
6.如權利要求5所述的方法，其中，形成所述結字線的步驟包括使用n型雜質和金屬材料中的任何一種來形成所述結字線。
7.如權利要求6所述的方法，其中，形成所述外延字線的步驟包括生長硅材料。
8.如權利要求7所述的方法，其中，所述外延字線的高度取決于所述結字線的雜質濃度。
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