[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201210181498.7
• 申請日: 2012-06-04
• 公開（公告）號: CN103456848A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 張源孝
• 申請（專利權）人: 華夏光股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/04;H01L33/14;H01L27/15
• 代理公司: 北京泛誠知識產權代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;文琦

1.一種半導體裝置的制造方法，包含：

提供一基板；

形成至少一磊晶結構于該基板上；

切割并剝離所述基板的一部分，以曝露該磊晶結構的一部分表面；及

形成一第一電極于所述部份表面。

2.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，其中所述基板的切割與剝離系使用一雷射光剝離技術，其中該雷射光的光波長介于一第一光波段。

3.根據權利要求2所述半導體裝置的制造方法，其中所述基板的材質可吸收所述第一光波段，并供一第二光波段穿透，且所述第一光波段與該第二光波段相異。

4.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，其中所述基板的材質為非導體。

5.根據權利要求所述半導體裝置的制造方法，其中所述磊晶結構的材質包含三族氮化物。

6.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，其中所述至少一磊晶結構包含多個磊晶結構，相鄰的所述些磊晶結構通過一隧道結而形成一堆棧磊晶結構。

7.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，于形成所述磊晶結構之前，還包含：

圖形化所述基板面向所述磊晶結構的表面。

8.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，于切割及剝離所述基板之前，還包含拋光研磨所述基板使其厚度變薄。

9.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，還包含形成一第二電極于所述磊晶結構相對于所述基板的另一側。

10.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，還包含：

提供一導電基板；及

耦接該導電基板于所述至少一磊晶結構相對于所述基板的另一側。

11.一種半導體裝置，包含：

一基板，該基板具有一空缺區；

至少一磊晶結構，形成于所述基板上，所述空缺區曝露所述磊晶結構的一部分表面；及

一第一電極，形成于所述部分表面。

12.根據權利要求11所述半導體裝置，其中所述基板的材質可吸收一第一光波段而被部分剝離，形成所述空缺區，并供一第二光波段穿透，且該第一光波段與該第二光波段相異。

13.根據權利要求11所述半導體裝置，其中所述基板的材質為非導體。

14.根據權利要求11所述半導體裝置，其中所述磊晶結構的材質包含三族氮化物。

15.根據權利要求11所述半導體裝置，其中所述磊晶結構包含一第一摻雜層、一主動層及一第二摻雜層，該第一摻雜層靠近所述基板，所述空缺區曝露所述第一摻雜層的所述部分表面，該第二摻雜層遠離所述基板，該主動層位于所述第一摻雜層與所述第二摻雜層之間，且所述第一摻雜層的電性相反于所述第二摻雜層的電性。

16.根據權利要求12所述半導體裝置包括一發光裝置，其中所述第二光波段系介于400納米至1600納米。

17.根據權利要求12所述半導體裝置包括一光伏電池，其中所述第二光波段系介于200納米至2000納米。

18.根據權利要求11所述半導體裝置，其中所述至少一磊晶結構包含多個磊晶結構，相鄰的所述些磊晶結構通過一隧道結而形成一堆棧磊晶結構。

19.根據權利要求11所述半導體裝置，其中所述基板具有一圖形化表面，所述圖形化表面朝向所述磊晶結構。

20.根據權利要求11所述半導體裝置，還包含一第二電極，形成于所述磊晶結構相對于所述基板的另一側。

21.根據權利要求11所述半導體裝置，還包含一導電基板，該導電基板耦接于所述至少一磊晶結構相對于所述基板的另一側。

22.根據權利要求21所述半導體裝置，其中耦接于所述導電基板的所述至少一磊晶結構包含多個磊晶結構，所述多個磊晶結構互為并聯或串聯以形成一半導體裝置陣列。