[發明專利]半導體器件無效

申請號：	201210181081.0	申請日：	2012-05-30
公開（公告）號：	CN102811048A	公開（公告）日：	2012-12-05
發明（設計）人：	榊原清彥	申請（專利權）人：	瑞薩電子株式會社
主分類號：	H03K19/08	分類號：	H03K19/08
代理公司：	北京市金杜律師事務所 11256	代理人：	王茂華;董典紅
地址：	日本神***	國省代碼：	日本;JP
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體器件
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【權利要求書】：

1.一種半導體器件，包括：

差分對晶體管；以及

拖尾電流源，配置成供給可切換的拖尾電流，使得在所述差分對晶體管中流動的電流量可以在至少兩個水平之間切換；

其中，所述差分對晶體管中的每個都具有σ值(ΔI/gm)隨著所述差分對晶體管中流動的電流的減少而單調減少的特性，

其中，σ表示標準偏差，ΔI表示所述差分對晶體管中電流量的差值，且gm表示所述差分對晶體管的跨導。

2.根據權利要求1的半導體器件，

其中，通過所述拖尾電流源供給第一拖尾電流，所述差分對晶體管在強反型區中工作，并且通過所述拖尾電流源供給比所述第一拖尾電流小的第二拖尾電流，所述差分對晶體管在中反型區中或弱反型區中工作。

3.根據權利要求2的半導體器件，

其中，所述拖尾電流源將公共電勢供給到設置在所述差分對晶體管和接地之間的第一路徑中的第一晶體管和第二晶體管的柵極、設置在所述差分對晶體管和接地之間的第二路徑中的第三晶體管和第四晶體管的柵極、以及所述第一晶體管和所述第三晶體管的柵極；

其中，所述第一晶體管的溝道寬度和所述第三晶體管的溝道寬度被設置成與所述第一拖尾電流和所述第二拖尾電流的量值相符，

其中，所述第二晶體管在所述強反型區中工作時以及在所述中反型區或所述弱反型區中工作時導通，以及

其中，所述第四晶體管在所述中反型區或所述弱反型區中工作時導通。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中，所述拖尾電流源將公共電勢供給到與所述差分對晶體管耦合的第一晶體管的柵極、與所述第一晶體管一起構成電流鏡的第二晶體管的柵極、設置在位于電源節點和所述第二晶體管之間的第一路徑中的第三晶體管和第四晶體管的柵極、設置在位于所述電源節點和所述第二晶體管之間的第二路徑中的第五晶體管和第六晶體管的柵極、以及所述第三晶體管和所述第五晶體管的柵極，

其中，所述第三晶體管的溝道寬度和所述第五晶體管的溝道寬度被設置成與所述第一拖尾電流和所述第二拖尾電流的量值相符，

其中，所述第四晶體管在所述強反型區中工作時以及在所述中反型區或所述弱反型區中工作時導通，以及

其中，所述第六晶體管在所述中反型區或所述弱反型區中工作時導通。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

負載晶體管對；

其中，所述負載晶體管對具有σ值(ΔI2/gm2)隨著所述負載晶體管對中流動的電流的減少而單調減少的特性，

其中σ表示標準偏差，ΔI2表示所述負載晶體管對中電流量的差值，且gm2表示所述負載晶體管對的跨導。

6.一種半導體器件，包括：

差分對晶體管，每個晶體管具有被形成為環形的柵極，所述柵極覆蓋源極側上的有源區和隔離區之間的鄰接區域，以及

拖尾電流源，被配置成供給可切換的拖尾電流，使得在所述差分對晶體管中流動的電流量可以在至少兩個水平之間切換。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，

其中，通過所述拖尾電流源供給第一拖尾電流，所述差分對晶體管在強反型區中工作，并且通過所述拖尾電流源供給量比所述第一拖尾電流小的第二拖尾電流，所述差分對晶體管在中反型區中或弱反型區中工作。