[發明專利]半導體發光裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210181065.1
• 申請日: 2012-06-04
• 公開（公告）號: CN102891233A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 洪瑞華;劉恒;盧怡安
• 申請（專利權）人: 華夏光股份有限公司;財團法人成大研究發展基金會
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;常大軍

1.一種半導體發光裝置，其特征在于，包括：

一外延結構，該外延結構包括一第一型摻雜層、一發光層，及一第二型摻雜層；

一基板，該基板以一黏著層連接至該外延結構的至少一表面上；以及

至少一柱體位于該黏著層中。

2.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，該至少一柱體的一高度決定該黏著層的一厚度。

3.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，還包括一無摻雜層于該外延結構中。

4.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，該至少一柱體的材質與該基板的材質為相同。

5.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，該至少一柱體由一導電性金屬制成。

6.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，該至少一柱體形成該外延結構的一部分。

7.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，還包括一反射層設置于該基板和該黏著層之間。

8.根據權利要求7所述的半導體發光裝置，其特征在于，該反射層與該基板的一表面形狀一致。

9.根據權利要求7所述的半導體發光裝置，其特征在于，該反射層與該基板的一表面及該至少一柱體形狀一致。

10.根據權利要求7所述的半導體發光裝置，其特征在于，還包括至少一接觸墊，該接觸墊形成于該外延結構的該第一型摻雜層與該第二型摻雜層的其中之一上，其中該至少一柱體只設置于該接觸墊之下。

11.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，還包括至少一接觸墊，該接觸墊形成于該外延結構的該第一型摻雜層與該第二型摻雜層的其中之一上，其中該至少一柱體只設置于該外延結構，而不在有該接觸墊的區域之下。

12.根據權利要求7所述的半導體發光裝置，其特征在于，還包括至少一接觸墊，該接觸墊形成于該外延結構的該第一型摻雜層與該第二型摻雜層的其中之一上，其中設置于該接觸墊之下的該至少一柱體的寬度大于未設置于該接觸墊之下的該至少一柱體的寬度。

13.一種半導體發光裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一外延結構于一暫時基板上，該外延結構包括一第一型摻雜層、一發光層，及一第二型摻雜層，其中該外延結構的一第一表面耦合于該暫時基板；

形成至少一柱體于一永久基板的一表面上；

耦合具有該至少一柱體的該永久基板的該表面至具有一黏著層的該外延結構的一第二表面，其中該外延結構的該第二表面與該外延結構的該第一表面相對；以及

從該外延結構的該第一表面移除該暫時基板。

14.根據權利要求13所述的半導體發光裝置的制造方法，其特征在于，提供一外延結構于一暫時基板上步驟，包括：

形成該外延結構于一第一暫時基板上，以耦合該外延結構的該第二表面至該第一暫時基板；

耦合該暫時基板至該外延結構的該第一表面；以及

從該外延結構移除該第一暫時基板以曝露該外延結構的該第二表面，以提供該外延結構于該暫時基板上。

15.根據權利要求13所述的半導體發光裝置的制造方法，其特征在于，還包括形成至少一接觸墊，該接觸墊形成于該外延結構的該第一型摻雜層與該第二型摻雜層的其中之一上，其中該至少一柱體只設置于該接觸墊之下。

16.一種半導體發光裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一外延結構于一暫時基板上，該外延結構包括一第一型摻雜層、一發光層，及一第二型摻雜層，其中該外延結構的一第一表面耦合于該暫時基板；

形成至少一柱體于該外延結構的一第二表面上，其中該外延結構的該第二表面與該外延結構的該第一表面相對；

耦合一永久基板至具有一黏著層的該外延結構的該第二表面；

從該外延結構的該第一表面移除該暫時基板。