[發明專利]利用單晶硅棒開方邊皮鑄造大晶粒多晶硅的方法有效
| 申請號： | 201210179283.1 | 申請日： | 2012-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN102719890A | 公開（公告）日： | 2012-10-10 |
| 發明（設計）人： | 司榮進;袁志鐘;楊傳偉;王祿寶 | 申請（專利權）人： | 鎮江環太硅科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 季萍 |
| 地址： | 212211 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 單晶硅 開方 鑄造 晶粒 多晶 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種利用單晶硅棒開方邊皮鑄造大晶粒多晶硅的方法，其特征在于：包括以下步驟：
a)?將單晶棒按照晶向進行線開方，取下邊皮；
b)?將單晶邊皮兩端的邊緣沿軸向方向各切除10?mm-35?mm；
c)?將單晶硅邊皮圓弧面朝上，緊密并排或隔開一定距離平鋪在坩堝底部,單晶邊皮占坩堝底部的面積比例為50%-99%；
d)?單晶硅邊皮放好后在再裝填其他硅料，可以使用粒狀料、塊狀料、回收料、片料，或者是它們的混合搭配；
e)?加入用于調整電阻率摻雜劑硼；
f)?將坩堝裝好石墨護板后投入多晶爐中，控制石墨加熱器的溫度，使籽晶上方的硅原料和摻雜劑硼的熔化，通過控制隔熱籠升起高度控制底部溫度，確保坩堝底部的單晶硅邊皮不被全部熔化，通過控制石墨加熱器的溫度和提升隔熱籠，形成垂直的溫度梯，單晶邊皮誘導晶體定向凝固成大晶粒多晶硅。
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