[發明專利]利用雷射照光形成線路的方法

無效

• 申請號: 201210177909.5
• 申請日: 2012-06-01
• 公開（公告）號: CN103458618A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 何建漢;黃華民
• 申請（專利權）人: 新研創股份有限公司
• 主分類號: H05K3/06
• 分類號: H05K3/06;G03F7/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京華夏博通專利事務所(普通合伙) 11264
• 代理人: 劉俊

技術領域

本發明涉及一種雷射照光形成線路的方法，尤其是以雷射對光敏材料層進行圖案化曝光，曝光后的光敏材料能吸附納米金屬粒子而形成金屬線路層。

背景技術

現有技術在基板上形成線路的印刷方法，可以分為減除法及加成法，減除法是利用微影技術或是屏蔽方式，將基材上的金屬膜蝕刻去除，而形成線路，進一步需要剝除光阻劑，由于需要電鍍、化學蝕刻、化學剝除、清洗等，伴隨著大量化學廢液的產生，當這些化學廢液沒有適當的處理而排出，會對于環境產生嚴重的污染。加成法是在基板上，在預形成線路的部分直接進行銅或其它金屬的沉積，例如蒸鍍、濺鍍、或是化學氣體沉積等，然而機臺的成本較高、制程條件及環境要求較為嚴格、機臺所占用的空間較大，因此成本較高，且機臺的狀態明顯影響產品的質量，而需要嚴密的管控。

發明內容

本發明的主要目的是提供一種利用雷射照光形成線路的方法，該方法包含光敏材料涂布步驟、雷射曝光步驟以及金屬線路形成步驟，在光敏材料涂布步驟中，將一光敏材料涂布于基板之上，而形成一光敏材料層，雷射曝光步驟是將具有光敏材料層的基板設置于雷射曝光機中，對于光敏材料層以圖案化的方式進行雷射曝光，本發明所使用的光敏材料是TDB01(含硫酚偶氮苯衍化物)，且所對應的雷射光波長是在紫外光的區段，受到使得曝光區域的TDB01分子結構受到改變為反式異構物的長直狀結構，而未曝光區域的TDB01分子維持順式異構物為彎曲狀結構。

金屬線路形成步驟，將具有曝光區域及未曝光區域的基板放入于納米導電金屬溶液中，該納米導電金屬溶液包含多個納米金屬粒子，曝光區域的光敏材料由于其長直狀的反式異構物結構而容易使納米金屬粒子吸附在曝光區域的光敏材料上，而在光敏材料上形成金屬線路層。

本發明的特點在于藉由以雷射照光的方式，對于光敏材料進行圖案化曝光，使曝光后的光敏材料吸附金屬粒子，而形成金屬線路層。藉由雷射光高功率、高密度、高指向性及單色性的優點，從而能夠有效控制產品的質量。另外，以曝光后形成長直狀分子結構的光敏材料吸附金屬粒子，有效地減少現有技術上產生的大量廢液，而更符合現今的環保概念。

附圖說明

圖1為本發明利用雷射照光形成線路的方法的流程圖；

圖2A～圖2D為本發明利用雷射照光形成線路的方法的結構示意圖。

主要組件符號說明

10??基板

20??光敏材料層

31??曝光區域

33??未曝光區域

40??納米導電金屬溶液

45??納米金屬粒子

50??金屬線路層

S1??雷射照光形成線路的方法

S11?光敏材料涂布步驟

S13?雷射曝光步驟

S15?金屬線路形成步驟

具體實施方式

以下配合圖式及組件符號對本發明的實施方式做更詳細的說明，以使熟悉本領域的技術人員在研讀本說明書后能據以實施。

參考圖1及圖2A至圖2D，分別為本發明利用雷射照光形成線路的方法的流程圖，以及本發明利用雷射照光形成線路的方法的結構示意圖。如圖1所示，本發明利用雷射照光形成線路的方法S1包含光敏材料涂布步驟S11、雷射曝光步驟S13以及金屬線路形成步驟S15，在光敏材料涂布步驟S11中，如圖2A所示，將一光敏材料涂布于基板10之上，而形成一光敏材料層20，雷射曝光步驟S13是將具有光敏材料層20的基板10設置于雷射曝光機中，對于光敏材料層20以圖案化的方式進行雷射曝光，再圖案化曝光后，光敏材料層20轉變為如圖2B所示的曝光區域31與未曝光區域33，曝光區域31的光敏材料分子結構受到改變為長直狀的結構，而未曝光區域33的光敏材料分子結構為彎曲狀。

金屬線路形成步驟S15如圖2C及圖2D所示，將具有曝光區域31及未曝光區域33的基板10放入于一納米導電金屬溶液40中，該納米導電金屬溶液40包含多個納米金屬粒子45，曝光區域31的光敏材料由于其長直狀的結構而容易吸附納米金屬粒子45，使得將基板10取出經過清洗烘干等步驟之后，納米金屬粒子45吸附在曝光區域31的光敏材料上，而在光敏材料上形成金屬線路層50。

本發明所使用的光敏材料可以至少包含TDB01(含硫酚偶氮苯衍化物)，所使用的雷射波長范圍是在紫外光的波長范圍。