[發明專利]GaAs基超薄芯片的制作方法

有效

• 申請號: 201210176151.3
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN102709408A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 陳昆男;許智源;王湘軍;戴世攀;周曉莉;方飛
• 申請（專利權）人: 東莞洲磊電子有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 雷利平

1.GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和磊晶層，所述基板的上表面磊晶有磊晶層，其特征在于：先對基板的下表面進行第一次蝕刻，將基板減薄至200μm±20μm；再在磊晶層蒸鍍加工出正電極，對由磊晶層和正電極形成的上表面進行上蠟處理；然后對基板的下表面進行二次蝕刻，將基板減薄至100μm±20μm，對磊晶層和正電極形成的上表面下蠟清洗處理后，對基板的下表面蒸鍍加工出負電極。

2.根據權利要求1所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：在對基板的下表面進行第一次蝕刻之前，先對磊晶層進行磨邊處理。

3.根據權利要求1所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：所述上蠟處理包括依次進行的上蠟平坦化工序及冷卻工序。

4.根據權利要求3所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：所述上蠟平坦化工序是采用4kg的翻轉壓盤進行，在具有冷卻系統的翻轉壓盤上的冷卻時間為5分鐘以上，并需進行芯片背面的清洗工序。

5.根據權利要求1所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：所述上蠟處理的蠟層厚度為5μm。

6.根據權利要求1所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：所述下蠟清洗處理是采用無塵紙沾拭IPA溶液，對芯片背面及蝕刻臺面進行去蠟的清潔。

7.根據權利要求1所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：所述下蠟清洗處理包括一次清洗和二次清洗，所述一次清洗包括芯片在加熱至沸騰的去蠟溶液浸泡5分鐘，直至芯片移動，然后進行二次清洗，所述二次清洗為用毛刷沾冷脫劑，并清掃芯片表面30秒，在快排沖洗槽里面用高純水沖洗10分鐘以上。

8.根據權利要求1所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：所述蒸鍍使用電子束濺鍍及鎢舟熱蒸鍍的方式。