[發(fā)明專利]量子點防偽標識方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210175636.0
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN102693679A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設計）人: 劉江國;廖杰進
• 申請（專利權）人: 廣東普加福光電科技有限公司
• 主分類號: G09F3/02
• 分類號: G09F3/02;G01N21/64;G06K7/10
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 華輝

1.一種量子點防偽標識方法，其包括以下步驟：

量子點油墨的制備：將不同結構和/或尺寸的量子點分散于有機溶劑中，加入透明油墨，混合均勻后制得能發(fā)射不同波長的量子點油墨；

防偽標識的載入：將上述制得的量子點油墨載入到待標記目標產品上，形成防偽標識，使所述防偽標識的各組成部分中至少部分區(qū)域含有一種以上的量子點；

防偽標識的檢測及轉換：通過光譜檢測儀器讀取各個組成部分中各個量子點的中心波長及各個量子點的發(fā)光強度的比值；將各量子點的中心波長及各量子點的發(fā)光強度的比值通過編碼規(guī)則進行轉換，得到一組特定的標識信息，并利用該信息來判斷標識。

2.根據權利要求1所述的量子點防偽標識方法，其特征在于：所述的量子點為元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、或IV族半導體化合物制得的量子點或其對應的核殼結構量子點；所述II-VI族半導體化合物為CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，CdSeS，CdSeTe，CdSTe，ZnSeS，ZnSeTe，ZnSTe，HgSeS，HgSeTe，HgSTe，CdZnS，CdZnSe，CdZnTe，CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，HgZnS，HgZnSe?CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe或HgZnSTe；所述III-V族半導體化合物為GaN，GaP，GaAs，GaSb，AlN，AlP，AlAs，AlSb，InN，InP，InAs，InSb，GaNP，GaNAs，GaNSb，GaPAs，GaPSb，AlNP，AlNAs，AlNSb，AlPAs，AlPSb，InNP，InNAs，InNSb，InPAs，InPSb，GaAlNP?GaAlNAs，GaAlNSb，GaAlPAs，GaAlPSb，GaInNP，GaInNAs，GaInNSb，GaInPAs，GaInPSb，InAlNP，InAlNAs，InAlNSb，InAlPAs或InAlPSb；所述IV-VI族半導體化合物為SnS，SnSe，SnTe，PbS，PbSe，PbTe，SnSeS，SnSeTe，SnSTe，PbSeS，PbSeTe，PbSTe，SnPbS，SnPbSe，SnPbTe?SnPbSSe，SnPbSeTe或SnPbSTe；所述IV族半導體化合物為Si，Ge，SiC或SiGe；所述核殼結構量子點為以所述的II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半導體化合物為核，以CdSe，CdS，ZnSe，ZnS，CdO，ZnO，SiO₂中的一種或多種為殼的核殼結構量子點。

3.根據權利要求1所述的量子點防偽標識方法，其特征在于，所述的有機溶劑為甲苯、氯仿和正己烷。

4.根據權利要求1所述的量子點防偽標識方法，其特征在于：所述的透明油墨為未添加顏料的油墨產品，所述未添加顏料的油墨產品為環(huán)氧丙烯酸酯類油墨、聚氨酯丙烯酸酯類油墨、聚酯丙烯酸酯類油墨、聚醚丙烯酸酯類油墨、聚丙烯酸丙酯和不飽和聚酯類油墨中的一種或多種。

5.根據權利要求1-4任一項所述的量子點防偽標識方法，其特征在于：所述量子點油墨通過印刷、噴繪、涂布浸漬或轉移的方式載入到所述目標產品。

6.一種量子點防偽標識方法，其包括以下步驟：

量子點防偽載體的制備：將不同結構和/或尺寸的量子點與高分子化合物混合，制成能發(fā)射不同波長的量子點防偽載體；或將高分子樹脂制成載體后浸漬到含有不同結構和/或尺寸的量子點溶液中，干燥后制得能發(fā)射不同波長的量子點防偽載體；

防偽標識的制作與載入：以上述量子點防偽載體制作防偽標識，然后將防偽標識載入待標記防偽的目標產品上；

防偽標識的檢測及轉換：通過光譜檢測儀器讀取各個組成部分中各個量子點的中心波長及各個量子點的發(fā)光強度的比值；將各量子點的中心波長及各量子點的發(fā)光強度的比值通過編碼規(guī)則進行轉換，得到一組特定的標識信息，并利用該信息來判斷標識。