[發明專利]一種可實現全彩的熒光透明涂層、制備方法及應用該熒光透明涂層的發光裝置

無效

• 申請號: 201210173129.3
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN102702934A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 張濤;李陽;張志坤
• 申請（專利權）人: 廣東普加福光電科技有限公司
• 主分類號: C09D163/10
• 分類號: C09D163/10;C09D175/14;C09D167/06;C09D171/00;C09D133/08;C09D7/12;C09D11/10;F21K2/08
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 禹小明;王楚鴻

技術領域

本發明涉及量子點應用領域，具體涉及一種可實現全彩的熒光透明涂層及其制備方法，以及應用該熒光透明涂層組成的發光裝置。

背景技術

量子點又稱為半導體納米晶體，當受到光或電的刺激，量子點便會發出特定的熒光光線，熒光的顏色由量子點的組成材料和大小形狀決定。這一特性使得量子點能夠改變激發光源發出的光線顏色。采用不同組成或尺寸的量子點，能夠得到色彩豐富的光線。目前世界各國都在研究量子點在全彩方面的應用，但主要在顯示領域。

三星已開發出采用量子點技術的全彩色有源矩陣顯示屏。相比目前手機、MP3使用屏幕，量子點顯示屏更亮、更節能、價格也更低廉。其量子點涂層的制備方法如下：首先將量子點溶液涂在硅板上，然后蒸發，再將突起部分進行壓制成量子點層，去掉表層后轉壓到玻璃基板或塑料基板上，該過程就實現了量子點到基板的轉移。

麻省理工學院(MIT)的Polina?Anikeeva及Jonathan?Halpert等人利用CdSe、ZnS、ZnSe層與半導體化合物ZnCdS及ZnCdSe，合成發光范圍足以涵蓋可見光波段的膠狀量子點。他們采用一種能與各類量子點都相容的有機基板，并利用一種簡單的方法將量子點沉積在基材上：先以旋轉鑄模法(spin?casting)在彈性體印章上形成量子點單層(QD?monolayer)，再將此單層印在元件結構內。該方法能獨立制作量子點，因此各類顏色的量子點都可以使用相同的元件結構，通過簡單而便宜的步驟同時沉積紅、綠及藍量子點作為畫素。

雖然已知的幾種量子點涂層方法各有優點，但是還存在著涂層制備方法比較繁瑣、效率低、難以進行大面積涂層、固化速度較慢等缺點。

UV固化油墨是近三、四十年才出現和興起的新型油墨，其作用機理是通過在油墨系統自身內加入的光引發劑和催化劑，吸收外部施加的足夠紫外線和電子束能量而激發交聯固化反應，最終達致油墨成膜的目的。因此UV固化油墨干燥速度快，特別是在非吸收性的基板上，能夠直接印刷的承印物范圍最廣泛。

發明內容

本發明的目的在于提供一種簡單、高效、靈活、可大面積噴繪、固化速度快且可實現全彩的熒光透明涂層及其制備方法。

為解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案是：

一種可實現全彩的熒光透明涂層，其特征在于，由量子點和UV固化透明墨組成。

所述的量子點為元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半導體化合物或其對應的核殼結構；具體所述的元素周期表II-VI族半導體化合物，由二元化合物包括CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，三元化合物包括CdSeS，CdSeTe，CdSTe，ZnSeS，ZnSeTe，ZnSTe，HgSeS，HgSeTe，HgSTe，CdZnS，CdZnSe，CdZnTe，CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，HgZnS，HgZnSe和四元化合物包括CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe，HgZnSTe組成；元素周期表III-V族半導體化合物，由二元化合物包括GaN，GaP，GaAs，GaSb，AlN，AlP，AlAs，?AlSb，InN，InP，InAs，InSb，三元化合物包括GaNP，GaNAs，GaNSb，GaPAs，GaPSb，AlNP，AlNAs，AlNSb，AlPAs，AlPSb，InNP，InNAs，InNSb，InPAs，InPSb，GaAlNP和四元化合物包括GaAlNAs，GaAlNSb，GaAlPAs，GaAlPSb，GaInNP，GaInNAs，GaInNSb，GaInPAs，?GaInPSb，InAlNP，InAlNAs，InAlNSb，InAlPAs，InAlPSb組成；元素周期表IV-VI族半導體化合物，由二元化合物包括SnS，SnSe，SnTe，PbS，PbSe，PbTe，三元化合物包括SnSeS，SnSeTe，SnSTe，PbSeS，PbSeTe，PbSTe，SnPbS，SnPbSe，SnPbTe和四元化合物包括SnPbSSe，SnPbSeTe，SnPbSTe組成；元素周期表IV族半導體化合物，由Si，Ge和二元化合物包括SiC，SiGe組成；所述核殼結構為以前面所述的元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半導體化合物為核，以CdSe，CdS，ZnSe，ZnS，CdO，ZnO，SiO2中的一種或多種為殼的核殼結構量子點。

上述的量子點質量百分含量為1～25%，