[發(fā)明專利]多官能化合物、光記錄材料、光記錄介質(zhì)、光記錄再生裝置、光波導(dǎo)材料及光取向膜材料無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210171765.2 | 申請日： | 2007-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN102690215A | 公開（公告）日： | 2012-09-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 中西貞裕;上田充 | 申請（專利權(quán)）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | C07C255/54 | 分類號： | C07C255/54;C07C245/08;G02B1/04;G02F1/1337;G11B7/244 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 雒運樸 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 官能 化合物 記錄 材料 介質(zhì) 再生 裝置 波導(dǎo) 取向 | ||
1.一種多官能化合物，其包含通式(1)所示的化學(xué)結(jié)構(gòu)，
通式(1)中，R1～R2分別獨立地為H、CH3、Cl中的任一個，X1～X3分別獨立地為-O-、-NH-、-N(烷基)-中的任一個，A1～A3分別獨立地為2價的連結(jié)基，L1～L3分別獨立地為光異構(gòu)化基、液晶基、H中的任一個，L1～L3中的至少一個為光異構(gòu)化基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多官能化合物，其由通式(1a)表示，
通式(1a)中，R1～R2分別獨立地為H、CH3、Cl中的任一個，Z為H、CN、COCH3中的任一個，X1～X3分別獨立地為-O-、-NH-、-N(烷基)-中的任一個，A1～A3分別獨立地為2價的連結(jié)基，L1～L3分別獨立地為光異構(gòu)化基、液晶基、H中的任一個，L1～L3中的至少一個為光異構(gòu)化基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多官能化合物，其由通式(1b)表示，
通式(1b)中，R1～R2分別獨立地為H、CH3、Cl中的任一個，X1～X4分別獨立地為-O-、-NH-、-N(烷基)-中的任一個，A1～A4分別獨立地為2價的連結(jié)基，L1～L4分別獨立地為光異構(gòu)化基、液晶基、H中的任一個，L1～L4中的至少一個為光異構(gòu)化基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多官能化合物，其由通式(1c)表示，
通式(1c)中，R1～R4分別獨立地為H、CH3、Cl中的任一個，X1～X6分別獨立地為-O-、-NH-、-N(烷基)-中的任一個，A1～A6分別獨立地為2價的連結(jié)基，L1～L6分別獨立地為光異構(gòu)化基、液晶基、H中的任一個，L1～L6中的至少一個為光異構(gòu)化基。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的多官能化合物，其中，
所述光異構(gòu)化基具有通式(2)所示的結(jié)構(gòu)，
通式(2)中，各芳香族環(huán)也可分別具有1個以上的取代基。
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