[發明專利]一種具有交叉光柵結構的發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201210169975.8
• 申請日: 2012-05-29
• 公開（公告）號: CN102709419A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 張雄;郭浩;韓樂;崔一平
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種具有交叉光柵結構的發光二極管，其特征在于：該發光二極管包括襯底（1），生長在襯底（1）上的具有第一光柵結構的介質薄膜層（2），與介質薄膜層（2）鍵合在一起的具有第二光柵結構的p型GaN外延層（3），生長在p型GaN外延層（3）上的InGaN多量子阱有源發光層（4）和生長在InGaN多量子阱有源發光層（4）上的n型GaN外延層（5），其中，第一光柵結構與第二光柵結構以0～90°之間的任一交叉角度鍵合在一起，構成交叉光柵結構。

2.根據權利要求1所述的具有交叉光柵結構的發光二極管，其特征在于，所述交叉光柵結構的周期范圍為100～1000?nm，刻蝕深度為10～200?nm。

3.根據權利要求1所述的具有交叉光柵結構的發光二極管，其特征在于，所述交叉光柵結構是由不同介電常數的介質材料在空間呈周期性排列的結構。

4.一種具有交叉光柵結構的發光二極管的制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

步驟1：在氮化鎵基二極管的p型GaN外延層或銦錫氧化物透明電極層上制備一層具有第一周期和第一刻蝕深度的光柵結構，然后將氮化鎵基發光二極管的襯底剝離掉；

步驟2：在第二襯底上直接制備，或者先在第二襯底上生長一層介質薄膜層（2），再在介質薄膜層（2）上制備具有第二周期和第二刻蝕深度的光柵結構；?

步驟3：將上述分別帶有光柵結構的氮化鎵基發光二極管和第二襯底，以0～90°之間的任一交叉角度鍵合在一起，在二者的鍵合界面處形成具有交叉光柵結構的倒裝發光二級管。

5.根據權利要求1所述的具有交叉光柵結構的發光二極管，其特征在于，步驟2中，介質薄膜層（2）為適用于半導體發光二極管中介質層的任何一種介質材料。