[發明專利]一種高深寬比微納復合結構制作方法

有效

• 申請號: 201210169057.5
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN102701141A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 馬志波;姜澄宇;苑偉政
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 呂湘連

1.一種高深寬比微納復合結構制作方法，包括如下步驟：

步驟1：標準清洗單晶硅基底（1），在潔凈的單晶硅基底（1）正面濺射金屬（2）。

步驟2：在金屬（2）上旋涂第一層光刻膠（3），將納米結構轉移到第一層光刻膠（3）上。繼續以第一層光刻膠（3）為掩膜刻蝕金屬（2），將納米結構圖形轉移到金屬（2）上。

步驟3：去除第一層光刻膠（3），在具有納米結構的金屬（2）表面上旋涂第二層光刻膠（4）。

步驟4：以微米結構掩模版為掩膜，通過光刻工藝將微米結構圖形轉移到第二層光刻膠（4）上。

步驟5：以第二層光刻膠（4）為掩膜，刻蝕金屬（2），將暴露部分的金屬2）刻蝕干凈，而被第二層光刻膠（4）保護部分的具有納米結構圖形的金屬（2）作為納米結構刻蝕掩膜保留下來。

步驟6：再以第二層光刻膠（4）為掩膜，通過深反應離子刻蝕機刻蝕單晶硅基底（1），形成微米結構，通過調整刻蝕時間實現控制微米結構刻蝕深度，實現不同深寬比的微米結構制作。

步驟7：去除第二層光刻膠（4），以金屬（2）為掩膜，通過深反應離子刻蝕機刻蝕單晶硅基底（1），形成納米結構，同樣通過調整刻蝕時間實現控制納米結構深度，實現不同深寬比的納米結構制作。

步驟8：去除金屬（2），完成高深寬比微納復合結構制作。