[發(fā)明專利]電極和包括其的電子器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210167769.3
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN102800810A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李泰雨;韓太熙;安鐘賢;李榮彬;禹成勛
• 申請（專利權(quán)）人: 浦項工科大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.電極，包括：

含石墨烯的層；和

形成于所述含石墨烯的層上的具有功函數(shù)梯度的層；

其中所述具有功函數(shù)梯度的層為包括與所述含石墨烯的層接觸的第一表面和與所述第一表面相反的第二表面的單層，其中所述具有功函數(shù)梯度的層的功函數(shù)在從所述具有功函數(shù)梯度的層的第一表面到所述具有功函數(shù)梯度的層的第二表面的方向上逐漸升高。

2.權(quán)利要求1的電極，其中所述石墨烯包括n個片，所述片各自由其中多個碳原子以共價鍵彼此結(jié)合并且在第一方向(即平行于基底的方向)上延伸的多環(huán)芳族分子形成，其中n為1或更大的整數(shù)。

3.權(quán)利要求2的電極，其中n為2或更大，并且所述n個片在垂直于所述第一方向的第二方向上堆疊。

4.權(quán)利要求2的電極，其中n為2～10的整數(shù)。

5.權(quán)利要求1的電極，其中所述含石墨烯的層進(jìn)一步包含p-型摻雜劑。

6.權(quán)利要求5的電極，其中所述p-型摻雜劑包括HNO₃、AuCl₃、HCl、硝基甲烷、H₂SO₄、HAuCl₄、2,3-二氯-5,6-二氰基苯醌、酸封端的小分子、聚合物酸、或其至少兩種的組合。

7.權(quán)利要求1的電極，其中所述具有功函數(shù)梯度的層的所述第一表面的功函數(shù)在4.8eV～5.3eV的范圍內(nèi)，和所述具有功函數(shù)梯度的層的所述第二表面的功函數(shù)在5.3eV～6.5eV的范圍內(nèi)。

8.權(quán)利要求1的電極，其中所述具有功函數(shù)梯度的層包括導(dǎo)電材料和低表面能材料。

9.權(quán)利要求8的電極，所述低表面能材料滿足如下：由所述低表面能材料形成的薄膜具有30mN/m或更小的表面能和在10^-15～10^-1S/cm范圍內(nèi)的電導(dǎo)率，或者由包括所述低表面能材料的導(dǎo)電聚合物組合物形成的薄膜具有30mN/m或更小的表面能和在10^-7～10^-1S/cm范圍內(nèi)的電導(dǎo)率。

10.權(quán)利要求8的電極，其中所述低表面能材料的濃度在從所述第一表面到所述第二表面的方向上逐漸升高。

11.權(quán)利要求8的電極，其中所述具有功函數(shù)梯度的層的所述第一表面的功函數(shù)與所述導(dǎo)電材料的功函數(shù)相同，和所述具有功函數(shù)梯度的層的所述第二表面的功函數(shù)與所述低表面能材料的功函數(shù)相同。

12.權(quán)利要求8的電極，其中所述低表面能材料包括至少一個氟(F)。