[發明專利]半導體封裝件及其制法

無效

• 申請號: 201210167094.2
• 申請日: 2012-05-25
• 公開（公告）號: CN103390598A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 唐紹祖;何祈慶;蔡瀛洲;藍章益
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/49;H01L21/48
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體封裝件，其包括：

線路增層結構，其包含一第一絕緣層、第一導電組件及第一線路層，該第一絕緣層具有相對的第一表面與第二表面，該第一導電組件為焊線且設于該第一絕緣層中并外露于該第一表面，該第一線路層設于該第一絕緣層的第一表面上以電性連接該些第一導電組件；

半導體芯片，其置設于該線路增層結構上方，并電性連接該第一線路層；以及

封裝膠體，其形成于該線路增層結構上，且包覆該半導體芯片。

2.根據權利要求1項所述的半導體封裝件，其特征在于，該第一導電組件的表面齊平該第一絕緣層的第一表面。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該第一導電組件為球型線頭或楔型線頭。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該第一絕緣層的第二表面上具有電性接觸墊，并電性連接該第一導電組件。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其特征在于，該電性接觸墊設有焊球。

6.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其特征在于，該電性接觸墊的表面齊平該第一絕緣層的第二表面。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該線路增層結構還包含至少一形成于該第一絕緣層的第一表面上的第二絕緣層、形成于該第二絕緣層中的第二導電組件、及形成于該第二絕緣層上的第二線路層，該第二導電組件電性連接該第一及第二線路層。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其特征在于，該第二導電組件為球型線頭或楔型線頭。

9.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其特征在于，該第二絕緣層的材質為封裝膠體、預浸材或Ajinomoto?build?up?film。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該第一絕緣層的材質為封裝膠體、預浸材或Ajinomoto?build?up?film。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體封裝件還包括絕緣保護層，設于該線路增層結構上，并形成有多個開孔，以外露部分該第一線路層。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體芯片置設于該絕緣保護層上。

13.一種半導體封裝件的制法，其包括：

形成線路增層結構，其步驟包含：

形成多個第一導電組件于一承載板上，且該第一導電組件為焊線；

形成一第一絕緣層于該承載板上，以包覆該些第一導電組件，該第一絕緣層具有相對的第一表面與第二表面，且該第二表面結合于該承載板上，并令該些第一導電組件外露于該第一絕緣層的第一表面；及

形成第一線路層于該第一絕緣層的第一表面上，且該第一線路層電性連接該第一導電組件；

設置半導體芯片于該線路增層結構上方，該半導體芯片并電性連接該第一線路層；

形成封裝膠體于該線路增層結構上，以包覆該半導體芯片；以及

移除該承載板。

14.根據權利要求13所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該第一導電組件的表面齊平該第一絕緣層的第一表面。

15.根據權利要求13所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該第一導電組件為球型線頭或楔型線頭。

16.根據權利要求13所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，利用研磨方式薄化該第一絕緣層的厚度，使該第一導電組件外露于該第一絕緣層的第一表面。

17.根據權利要求13所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，形成該線路增層結構的步驟還包含：形成第二導電組件于該第一線路層上，再形成一第二絕緣層于該第一絕緣層的第一表面上，以包覆該第二導電組件與該第一線路層，還于該第二絕緣層上形成第二線路層，使該第二導電組件電性連接該第一與第二線路層。

18.根據權利要求17所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該第二導電組件為球型線頭或楔型線頭。

19.根據權利要求17所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該第二絕緣層的材質為封裝膠體、預浸材或Ajinomoto?build?up?film。