[發明專利]制造半導體器件的方法

無效

• 申請號: 201210167092.3
• 申請日: 2012-05-23
• 公開（公告）號: CN102800602A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 關原真彥;古川正樹
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;邊海梅

1.一種制造半導體器件的方法，包括如下步驟：

(a)制備具有在其之上安裝有半導體芯片的布線板；

(b)將毛細管的尖端部分放置在焊球形成單元中的焊球形成部分中；

(c)在所述焊球形成部分中創建抗氧化劑氛圍并且在炬用電極與從在所述焊球形成部分中的所述毛細管的尖端部分延伸的傳導接線之間產生放電，從而在所述傳導接線的尖端部分處形成初始焊球；以及

(d)將所述初始焊球鍵合至在所述半導體芯片之上的焊盤，以將所述傳導接線電耦合至所述半導體芯片；

其中，所述焊球形成單元包括所述焊球形成部分、用于將抗氧化劑氣體引入到所述焊球形成部分中的氣體入口部分以及用于從所述焊球形成部分排出所述抗氧化劑氣體的氣體出口部分，并且

其中在與將所述抗氧化劑氣體引入到所述焊球形成部分中的方向不同的方向上提供所述氣體出口部分。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中在相對于引入所述抗氧化劑氣體的方向的90°±45°的范圍內提供所述氣體出口部分。

3.根據權利要求2所述的制造半導體器件的方法，其中在相對于引入所述抗氧化劑氣體的方向的90°的位置處提供所述氣體出口部分。

4.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中所述氣體出口部分在所述焊球形成單元的厚度方向上穿透所述焊球形成單元。

5.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法，其中所述氣體出口部分的寬度等于或大于所述毛細管的寬度。

6.根據權利要求5所述的制造半導體器件的方法，其中所述氣體出口部分的寬度不大于所述焊球形成部分的寬度。

7.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中所述焊球形成單元在關于所述焊球形成部分BFP的、與所述氣體入口部分相對的位置處裝配有氣體庫部分。

8.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中所述傳導接線是比金接線更易于氧化的金屬接線。

9.根據權利要求8所述的制造半導體器件的方法，其中所述傳導接線是銅接線。

10.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中所述抗氧化劑氣體是惰性氣體。

11.根據權利要求10所述的制造半導體器件的方法，其中所述惰性氣體包括氮氣氣體或氬氣氣體。

12.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中所述抗氧化劑氣體是包含惰性氣體和還原氣體的合成氣體。

13.根據權利要求12所述的制造半導體器件的方法，其中所述合成氣體包含氮氣氣體和氫氣氣體。

14.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中所述焊球形成單元具有絕緣樹脂。

15.根據權利要求14所述的制造半導體器件的方法，其中所述絕緣樹脂是聚酰胺酰亞胺樹脂。

16.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，還包括在所述步驟(d)之后的如下步驟：

(e)將所述傳導接線鍵合至在所述布線板之上的端子，以將所述傳導接線電耦合至所述布線板；以及

(f)密封所述半導體芯片、所述傳導接線以及所述布線板的一部分。

17.根據權利要求16所述的制造半導體器件的方法，其中所述布線板是布線基板，并且所述布線板之上的所述端子是焊區端子。

18.根據權利要求16所述的制造半導體器件的方法，其中所述布線板是引線框架，而在所述布線板之上的所述端子是內部引線。