[發明專利]發光二極管模塊

無效

• 申請號: 201210167033.6
• 申請日: 2012-05-23
• 公開（公告）號: CN103423632A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 莊德銘
• 申請（專利權）人: 安沛有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V5/00;F21V9/10;H01L33/58;F21Y101/02
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種發光二極管模塊，其特征在于，其是包含：

一載體；

一發光二極管芯片，其是設置于該載體的上方；及

一光學構件，其是設于該發光二極管芯片的上方，且該光學構件呈球形，該光學構件內包含復數個熒光粉；

其中該光學構件的外側具有復數個環狀凸出部。

2.如權利要求1所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該些環狀凸出部呈水平方向排列。

3.如權利要求1所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該光學構件的下方具有一容置槽，該發光二極管芯片容置于該容置槽，該容置槽具有一側壁。

4.如權利要求3所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該光學構件的底部設有一凸出部，該凸出部朝下凸出，且該凸出部是位于容置槽內。

5.如權利要求4所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該凸出部的一側具有一環狀斜面，該環狀斜面連接于該凸出部與該側壁之間。

6.如權利要求3所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該光學構件的底部設有一凹入曲面，該凹入曲面朝上凹入，且該凹入曲面是位于容置槽內。

7.如權利要求6所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該凹入曲面的一側具有一環狀斜面，該環狀斜面連接于該凹入曲面與該側壁之間。

8.如權利要求3所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該側壁具有復數個條狀凸出部，該些凸出部呈垂直方向排列。

9.如權利要求1所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該光學構件的上方設有至少一凹槽。

10.如權利要求9所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該凹槽呈倒錐形。

11.如權利要求1所述的發光二極管模塊，其特征在于，更包含一燈罩，該燈罩設置于該載體上并罩設于該光學構件的上方。

12.一種發光二極管模塊，其特征在于，其是包含：

一載體；

一發光二極管，其是設置于該載體的上方；及一光學構件，其是罩設于該發光二極管的上方，且該光學構件的下方具有一容置槽，該發光二極管容置于該容置槽；

其中，該光學構件的底部設有一凸出部或一凹入曲面，該凸出部或該凹入曲面是位于容置槽內。

13.如權利要求12所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該凸出部或該凹入曲面的一側具有一環狀斜面，該環狀斜面連接于該凸出部或該凹入曲面與該容置槽的一側壁之間。

14.如權利要求13所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中，該側壁具有復數個條狀凸出部，該些凸出部呈垂直方向排列。

15.如權利要求12所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該光學構件呈球形。

16.如權利要求12所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中且該光學構件的外側具有復數個環狀凸出部。

17.如權利要求16所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該些環狀凸出部呈水平方向排列。

18.如權利要求12所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中，該光學構件的上方設有至少一凹槽。

19.如權利要求18所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中且該凹槽呈倒錐形。

20.如權利要求12所述的發光二極管模塊，其特征在于，更包含一燈罩，該燈罩設置于該載體上并罩設于該光學構件的上方。

21.如權利要求12所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該發光二極管包含一芯片與一封裝體，該封裝體設于該芯片的上方，且該封裝體內包含有復數個熒光粉。

22.一種發光二極管模塊，其特征在于，其是包含：

一載體；

一發光二極管，其設置于該載體的上方；及

一光學構件，其是設于該發光二極管的上方，該光學構件的上方設有至少一凹槽。

23.如權利要求22所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該凹槽呈倒錐形。

24.如權利要求22所述的發光二極管模塊，其特征在于，其中該光學構件呈球形。