[發(fā)明專利]半導體封裝器件的安裝結構體及制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210163811.4
• 申請日: 2012-05-23
• 公開（公告）號: CN102800634A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設計）人: 山口 敦史;辻村 英之;小和田 弘枝;桑原 涼;大橋 直倫
• 申請（專利權）人: 松下電器產業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

1.一種半導體封裝器件的安裝結構體的制造方法，包括：

裝配工序，在涂布于基板的電極上的焊料上裝配所述半導體封裝器件的電極；

第一涂布工序，將粘度為η1、觸變比為T1的第一粘接劑涂布于所述裝配的所述半導體封裝器件的外側的所述基板上的位置；

第二涂布工序，在所述第一粘接劑上涂布粘度為η2、觸變比為T2的第二粘接劑，使得所述第二粘接劑與所述半導體封裝器件的外周部接觸；以及

回流固化工序，之后，通過回流工藝，形成固化有所述第一粘接劑的第一粘接劑部、和固化有所述第二粘接劑的第二粘接劑部，

所述第一粘接劑和所述第二粘接劑滿足30≤η2≤η1≤300(Pa·s)、3≤T2≤T1≤7，

所述第一粘接劑部和所述第二粘接劑部的、與所述基板的安裝面垂直方向的各截面積S1、S2的關系滿足S1≤S2，其中，S1是所述第一粘接劑部的截面積，S2是所述第二粘接劑部的截面積。

2.如權利要求1所述的半導體封裝器件的安裝結構體的制造方法，其特征在于，

所述第一粘接劑的樹脂成分與所述第二粘接劑的樹脂成分是同一高分子組成。

3.如權利要求1所述的半導體封裝器件的安裝結構體的制造方法，其特征在于，

所述第一粘接劑的熔解度參數P1與所述第二粘接劑的熔解度參數P2之差為1.4以下。

4.一種半導體封裝器件的安裝結構體，包括：

基板，具有基板電極；

半導體封裝器件，裝配在所述基板上，具有與所述基板電極抵接的器件電極；

第一粘接劑部，形成于所述裝配的所述半導體封裝器件的外側的所述基板上的位置，由第一粘接劑固化形成；以及

第二粘接劑部，與所述半導體封裝器件的外周部接觸地在所述第一粘接劑部上由第二粘接劑固化形成，

所述第一粘接劑的粘度η1、觸變比T1和所述第二粘接劑的粘度η2、觸變比T2為30≤η2≤η1≤300(Pa·s)、3≤T2≤T1≤7，

所述第一粘接劑部和所述第二粘接劑部的、與所述基板的安裝面垂直方向的各截面積S1、S2的關系滿足S1≤S2，其中，S1是所述第一粘接劑部的截面積，S2是所述第二粘接劑部的截面積。

5.如權利要求4所述的半導體封裝器件的安裝結構體，其特征在于，

所述第一粘接劑的樹脂成分與所述第二粘接劑的樹脂成分是同一高分子組成。

6.如權利要求4所述的半導體封裝器件的安裝結構體，其特征在于，

所述第一粘接劑的熔解度參數P1與所述第二粘接劑的熔解度參數P2之差為1.4以下。