[發明專利]發光半導體元件及其制作方法以及光源模塊有效
| 申請號: | 201210161559.3 | 申請日: | 2012-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN103427005A | 公開(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發明(設計)人: | 林立凡;薛清全;廖文甲;陳世鵬 | 申請(專利權)人: | 臺達電子工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/58 | 分類號: | H01L33/58;H01L33/00 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 馮志云;呂俊清 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 半導體 元件 及其 制作方法 以及 光源 模塊 | ||
技術領域
本發明涉及一種發光半導體元件,尤指一種發光二極管元件。
背景技術
配合參閱圖1,為現有發光半導體元件的剖視圖。
發光半導體元件包含一第一導線支架800、一晶粒承載支架802、一第二導線支架804、一發光二極管晶粒806、一絕緣體808、多條導線810及一透光膠體814。絕緣體808是使用不透光膠材,如:聚鄰苯二甲酰胺(Polyphthalamide,PPA)等制作而成,用以固定第一導線支架800、晶粒承載支架802及第二導線支架804,并形成一大致呈杯狀的固晶區812,晶粒承載支架802露出于固晶區812;其中絕緣體808是利用射出成型方式形成于第一導線支架800、晶粒承載支架802及第二導線支架804外圍。
發光二極管晶粒806設置于晶粒承載支架802上,發光二極管晶粒806通過導線(例如焊線)810電連接至第一導線支架800及第二導線支架804。透光膠體814置于固晶區812內用以覆蓋發光二極管晶粒806及保護導線810。
由上所述,第一導線支架800、晶粒承載支架802、第二承載支架804、絕緣體808及透光膠體814配合氣密地包覆發光二極管晶粒806。然而,絕緣體808本身的熱阻大,使得制得的發光半導體元件的導熱效果差;其次,絕緣體808的體積成為發光半導體元件的體積無法有效地縮小的主因,并提高制作成本;再者,制作絕緣體808所使用的膠體隨著使用時間的增加而老化,并產生可靠度問題。
發明內容
本發明的目的在于有效地縮小發光半導體元件的體積、提升散熱效果及降低制作成本。
本發明提供一種發光半導體元件。該發光半導體元件包含至少兩導電單元、至少一發光半導體晶粒及一光穿透層,兩導電單元之間具有一開槽,該發光半導體晶粒跨接于所述多個導電單元,該光穿透層包覆該發光半導體晶粒并至少部分填充于該開槽中以結合兩導電單元。
本發明提供一種發光半導體元件,該發光半導體元件包含至少兩導電單元、至少一發光半導體晶粒及至少一導線,兩導電單元之間具有一開槽,該發光半導體晶粒設置于其中的一導電單元,該導線跨接于該發光半導體晶粒及另外的導電單元中的一個之間,該光穿透層包覆該發光半導體晶粒、所述多個導線并至少部分填充于該開槽中以結合所述多個導電單元。
本發明提供一種光源模塊,包含:一基板;以及至少一個上述的發光半導體元件,該發光半導體元件設置于該基板的一側,并電連接于該基板。
本發明更提供一種發光半導體元件的制作方法,包含下列步驟:a)于一第一導電層形成至少一開槽;b)設置至少一發光半導體晶粒于該第一導電層,該開槽露出至少部分該發光半導體晶粒;c)形成一光穿透層,該光穿透層與該第一導電層配合包覆該發光半導體晶粒。
利用本發明的制作方法所完成的發光半導體元件的導光單元與光穿透層配合密封發光半導體晶粒,可以有效地縮減發光半導體元件的面積并可提升發光半導體元件的絕緣效果。
附圖說明
圖1為現有發光半導體元件的剖視圖。
圖2A-圖2J為本發明第一實施例的發光半導體元件的制作方法的制作流程示意圖。
圖3A-圖3Z為本發明第二實施例的發光半導體元件的制作方法的制作流程示意圖。
圖4A為本發明第一實施例的光源模塊的剖視圖。
圖4B為本發明第二實施例的光源模塊的剖視圖。
圖4C為本發明第三實施例的光源模塊的剖視圖。
圖5為本發明第一實施例的照明裝置的剖視圖。
圖6A為本發明第四實施例的光源模塊的剖視圖。
圖6B為本發明第五實施例的光源模塊的剖視圖。
其中,附圖標記說明如下:
10、20第一導電層
100、200開槽
102、206上表面
11、21導電單元
12、30發光半導體晶粒
13導線
120、300基板
122、302N型氮化鎵
124、304多量子井層
126、306P型氮化鎵層
128a、128b、308a、308b連接墊
130、310半導體層
14、34光穿透層
202第二導電層
204中介層
206上表面
208下表面
22遮蔽層
24絕緣層
26暫時基板
28黏著件
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