[發明專利]發光半導體元件及其制作方法以及光源模塊

有效

• 申請號: 201210161559.3
• 申請日: 2012-05-23
• 公開（公告）號: CN103427005A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 林立凡;薛清全;廖文甲;陳世鵬
• 申請（專利權）人: 臺達電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;H01L33/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;呂俊清

1.一種發光半導體元件，包含：

至少兩導電單元，所述導電單元之間具有一開槽；

至少一發光半導體晶粒，跨接于所述多個導電單元；以及

一光穿透層，包覆所述發光半導體晶粒并至少部分填充于該開槽中以結合所述導電單元。

2.如權利要求1所述的發光半導體元件，其中該導電單元的厚度大于5微米。

3.如權利要求1所述的發光半導體元件，其中所述多個導電單元的表面積大于等于所述發光半導體晶粒的表面積。

4.如權利要求1所述的發光半導體元件，其中該發光半導體元件還包含一位于該光穿透層的中的光波長轉換物質。

5.如權利要求1所述的發光半導體元件，其中該發光半導體元件還包含一遮蔽層，該遮蔽層設置于該導電單元的一上表面及一下表面的至少其中之一，該下表面相反于該上表面。

6.如權利要求1所述的發光半導體元件，其中該發光半導體元件還包含一設置于該導電單元下方的絕緣層。

7.如權利要求6所述的發光半導體元件，其中該絕緣層的厚度小于100微米。

8.如權利要求1所述的發光半導體元件，其中該發光半導體元件還包含一擋墻，該擋墻設置于該導電單元并環繞該發光半導體晶粒，該光穿透層設置于該擋墻內。

9.如權利要求1所述的發光半導體元件，其中該導電單元包含兩第二導電層及一設置于所述兩第二導電層之間的絕緣層，該開槽至少貫穿其中的一第二導電層。

10.如權利要求1所述的發光半導體元件，其中該光穿透層部分地覆蓋所述多個導電單元的一上表面。

11.如權利要求1所述的發光半導體元件，其中該光穿透層完全地覆蓋所述多個導電單元的一上表面。

12.如權利要求11所述的發光半導體元件，其中該光穿透層包覆所述多個導電單元的側緣。

13.如權利要求1所述的發光半導體元件，其中該發光半導體元件包含多個導電單元及多個發光半導體晶粒，任兩導電單元之間具有一開槽，各發光半導體晶粒跨接于任兩導電單元，所述多個發光半導體晶粒通過所述多個導電單元形成串并聯連接。

14.一種發光半導體元件，包含：

至少兩導電單元，所述導電單元之間具有一開槽；

至少一發光半導體晶粒，設置于其中的一導電單元；

至少一導線，跨接于該發光半導體晶粒及另外的導電單元中的一個之間；以及

一光穿透層，包覆該發光半導體晶粒、該導線并至少部分填充于該開槽中以結合所述多個導電單元。

15.如權利要求14所述的發光半導體元件，其中該導電單元的厚度大于5微米。

16.如權利要求14所述的發光半導體元件，其中所述多個導電單元的表面積大于等于該發光半導體晶粒的表面積。

17.如權利要求14所述的發光半導體元件，其中該光穿透層至少部分地覆蓋所述多個導電單元的一上表面。

18.如權利要求14所述的發光半導體元件，其中該光穿透層包覆所述多個導電單元的側緣。

19.一種光源模塊，包含：

一基板；以及

至少一如權利要求1至18中任一項所述的發光半導體元件，該發光半導體元件設置于該基板的一側，并電連接于該基板。

20.如權利要求19所述的光源模塊，其中該基板為散熱裝置或電路板。

21.一種發光半導體元件的制作方法，包含：

a)提供一導電層；

b)于該第一導電層形成至少一開槽；

c)設置至少一發光半導體晶粒于該第一導電層并與開槽兩側的該第一導電層形成電性連接；以及

d)形成一光穿透層，該光穿透層包覆該發光半導體晶粒并連接該第一導電層，且該光穿透層至少部分填充于該開槽。

22.如權利要求21所述的發光半導體元件的制作方法，其中該發光半導體晶粒跨接于開槽兩側的第一導電層，該開槽露出至少部分該發光半導體晶粒，該光穿透層與該第一導電層配合緊密地包覆該發光半導體晶粒。